三星积极争取辉达订单，HBM市场竞争加剧

近日有消息传出，三星电子正与英伟达洽谈关于12层堆叠“HBM3E”存储器供应GB300 Blackwell Ultra的相关事宜。据BusinessKorea报道，三星装置解决方案部门负责人全永铉近期访问了位于硅谷的英伟达总部，讨论HBM3E的供应可能性，这是自5月初以来不到两个月内的第二次会面。

尽管目前尚无法确认英伟达首席执行官黄仁勋是否出席了此次会议，但双方讨论的内容涉及12层HBM3E的质量验证以及从明年开始供应的可能性。一位知情人士透露，三星强调其12层HBM3E基于第四代10纳米级DRAM（1a），并结合了改进的基底和逻辑芯片，性能完全不逊色于竞争对手的产品。
三星最近宣布为AMD的MI350X系列AI加速器提供12层HBM3E，鉴于该系列产品的出色表现，市场对AMD的信心增强，同时也消除了对三星12层HBM3E质量的担忧。因此，三星越来越有信心能够通过英伟达的质量验证，并有望在明年实现大规模供货。
如果三星成为第三家12层HBM3E供应商，这将使英伟达在与SK海力士、美光的价格谈判中占据有利位置。据了解，SK海力士向英伟达提供的12层HBM3E价格比8层版本高出约60%。若三星的产品通过验证，英伟达将有机会促使供应商之间形成更激烈的竞争。
值得注意的是，英伟达为了获得更有利的谈判地位，推迟了采用HBM4的时间表。HBM4主要用于计划在明年底推出的下一代AI芯片“Vera Rubin”。SK海力士已于今年3月提交了HBM4样品，美光紧随其后在6月送样，而三星预计将在7月或8月提交样品。英伟达将在收到所有样品后再做出最终决定。
根据行业评估，自从去年三星任命全永铉担任DS部门负责人以来，其存储器竞争力正在迅速恢复。全永铉在今年3月的股东大会上表示，三星正在努力提升产品竞争力，并预计12层HBM3E最快将在第二季度末或下半年取得市场领先地位。
随着人工智能和高性能计算需求的增长，HBM存储器的重要性日益凸显。三星通过不断提升技术和产品质量，力求在全球高端存储器市场中占据一席之地，同时也在推动整个行业的技术进步与发展。未来，随着更多厂商加入竞争，HBM市场的格局或将发生重大变化。