三星力争英伟达HBM3E订单，高端存储器市场或将迎来价格战

据韩国媒体报道，三星电子正与英伟达就12层堆叠“HBM3E”供应GB300 Blackwell Ultra进行洽谈。BusinessKorea引用Seoul Economic Daily的报道指出，三星装置解决方案部门负责人全永铉近期访问了位于硅谷的英伟达总部，商讨HBM3E的供应细节。这距离他5月初的访问还不到两个月。
尽管目前无法确定英伟达首席执行官黄仁勋是否出席了此次会议，但双方讨论的重点在于12层HBM3E的质量验证以及从明年开始的可能供货计划。
知情人士透露，三星强调其12层HBM3E采用了第四代10纳米级DRAM（1a），并结合了改进的基底和逻辑芯片，性能表现不逊色于竞争对手的产品。此外，三星也在探讨为Blackwell Ultra提供支持的可能性，该产品预计将在明年实现大规模出货。
有消息称，三星内部对此次谈判持乐观态度，除了产品质量过硬之外，三星已经赢得了包括AMD在内的客户的支持。最近，三星宣布将为AMD的MI350X系列AI加速器提供12层HBM3E。由于该系列产品表现出色，市场对AMD的信心增强，这也消除了对三星12层HBM3E质量的担忧。因此，三星越来越有信心能够通过英伟达的质量验证，并有望在明年实现大量供货。
当前HBM存储器供不应求，如果三星成为第三家12层HBM3E供应商，英伟达将能够在与SK海力士、美光的价格谈判中占据有利位置。业内人士表示，众所周知，SK海力士向英伟达提供的12层HBM3E比8层版本贵了约60%。若三星的产品通过验证，英伟达没有理由不下单，因为这将促使供应商之间形成竞争态势，有利于降低成本。
据报道，英伟达为了获得更有利的谈判地位，推迟了采用HBM4的时间表。HBM4主要用于计划在明年底推出的下一代AI芯片“Vera Rubin”。SK海力士已于今年3月提交了HBM4样品，美光紧随其后在6月送样，而三星预计将在7月或8月提交样品。英伟达将在收到所有样品后再做出最终决定。
自去年任命全永铉担任DS部门负责人以来，三星的存储器竞争力正在迅速恢复。全永铉在今年3月的股东大会上表示，三星正在努力提升产品竞争力，并预计12层HBM3E最快将在第二季度末或下半年取得市场领先地位。
随着人工智能和高性能计算需求的增长，HBM存储器的重要性日益凸显。三星通过不断提升技术和产品质量，力求在全球高端存储器市场中占据一席之地，同时也推动着整个行业的技术进步与发展。未来，随着更多厂商加入竞争，HBM市场的格局或将发生重大变化。让我们共同期待这一领域的进一步发展！