​美光豪掷 2000 亿美元，布局美国芯片制造与研发

近日，美国半导体存储芯片大厂美光科技（Micron）的一项重大决策引发了全球半导体行业的高度关注。美光宣布将投资约 2000 亿美元，用于在美国本土的芯片制造与研发，这一举措规模空前，旨在显著扩大美国存储芯片的生产，重塑美国半导体产业格局。
美光计划中的 1500 亿美元将用于制造环节，500 亿美元则投入研发领域。制造投资涵盖多个关键项目：在爱达荷州，美光不仅要兴建第二家先进的存储芯片工厂，还计划对现有工厂进行大规模扩建与现代化改造；纽约州也将迎来四座晶圆厂的建设工程；同时，美光还打算将先进的高带宽存储器（HBM）封装能力引入美国，以满足人工智能市场对高频宽存储芯片的强劲需求。
在爱达荷州，美光首个新建的 Fab ID1 工厂目前进展顺利，预计在 2025 年 6 月达到关键建设里程碑，并于 2027 年下半年正式开始生产晶圆。这座工厂的无尘室面积将达 600,000 平方英尺，产能十分可观，与三星和 SK 海力士在韩国运营的大型晶圆厂相当。而紧邻 Fab ID1 的 Fab ID2 工厂，由于能共享基础设施和研发资源，有望先于纽约州的工厂投产，但美光暂未透露其确切时间。
纽约州的晶圆厂建设计划则更为宏大，四座晶圆厂的无尘室总面积预计也将达到约 600,000 平方英尺。虽然具体的生产时间表尚未确定，但无疑这将是美光长期战略的重要组成部分，有助于美国建立起强大的国内制造体系，满足商业和国家运算的需求。
除了新建晶圆厂，美光还将对位于弗吉尼亚州的工厂进行升级。该工厂原本生产用于汽车、航空航天、国防和工业应用的存储芯片，升级后将具备在美国组装 HBM 存储芯片堆叠的先进封装能力。不过，美光计划在爱达荷州工厂提高 DRAM 晶圆产量后，才会为弗吉尼亚工厂增添 HBM 相关产能，预计届时将在美国生产 HBM5 或 HBM6 产品。
美光首席执行官兼董事长 Sanjay Mehrotra 表示，作为这项 2000 亿美元投资计划的一部分，美光将在其美国业务建立起足够的 DRAM 晶圆规模后，引入先进封装能力，以支持长期的 HBM 增长计划。他强调，美光在美国的存储芯片制造和研发计划，彰显了公司推动创新、加强美国国内半导体产业的坚定承诺。这项投资不仅将巩固美国的技术领先地位，还将在整个半导体生态系统中创造数万个就业岗位，确保国内半导体供应，对美国的经济和国家安全至关重要。
美国政府也对美光的这一计划表示大力支持。此前，美国商务部已根据《芯片与科学法案》，向美光提供了高达 61.65 亿美元的直接资金资助，用于支持其在纽约州和爱达荷州的产能建设计划。此外，还计划拨款高达 2.75 亿美元，助力美光扩建和现代化位于弗吉尼亚州的工厂。
美光此次大规模投资美国，背后有着复杂的行业背景和战略考量。一方面，全球半导体产业链正面临着地缘政治、供应链安全等诸多挑战，美国试图通过加强本土制造，降低对海外供应商的依赖，提升自身在全球半导体产业中的话语权和竞争力。另一方面，随着人工智能、大数据、云计算等新兴技术的迅猛发展，对高性能存储芯片的需求呈爆发式增长，美光希望借此机会，通过扩大产能和加大研发投入，抢占市场先机，巩固其在全球存储芯片市场的领先地位。
美光 2000 亿美元的投资计划，无疑将对美国半导体产业乃至全球半导体市场产生深远影响。它不仅将推动美国半导体制造技术的升级和产业规模的扩张，还可能引发全球半导体产业链的新一轮调整和竞争。未来，我们将持续关注美光这一计划的实施进展及其对行业带来的变革。