中国芯片产业的挑战与机遇：光刻机技术差距及应对策略

据彭博社新闻报道，美国华盛顿智库安全与技术中心发布了一份专栏报告指出，尽管中国在芯片制造领域取得了显著的技术进步，但在核心的光刻机产业上，国产设备仍远远落后于荷兰的阿斯麦（ASML）和日本的尼康。这表明，光刻技术目前依然是制约中国科技发展的关键技术难题。
去年9月，中国工信部正式公开了最新研发的干式光刻机装置。该设备采用了193纳米的激光波长、65纳米分辨率、套刻精度≤8纳米，性能与ASML在2005年发布的1400i光刻机相近。然而，ASML在2015年基于1400i优化后的1460k光刻机，虽然分辨率同样是65纳米，但其套刻精度达到了≤5纳米，大大提升了良品率和产能。
对于生产不同纳米级别的芯片来说，套刻精度的要求也有所不同。例如，生产65纳米芯片时，套刻精度需维持在≤16~22纳米；而对于28纳米芯片，则需≤7~9纳米。显然，目前中国已公布的光刻机设备，在多重曝光技术下只能制造28纳米芯片，并不能制造具有FinFET结构的14纳米及以下产品。
从自主设备技术角度看，中国的光刻机产业与国外主流企业存在超过20年的技术差距。不过，这是基于已公布的产品得出的结论，未考虑尚未正式公开的相关设备。尽管面临多方限制，中国企业仍在开发更先进的浸润式系统。如果成功开发出拥有自主技术并可投入商用的浸润式光刻机，将彻底解决在先进芯片上受制于人的问题，甚至可能替代现有的ASML进口设备。
由于美国多年来的出口管制，中国芯片企业无法获得来自ASML的极紫外（EUV）设备，这极大阻碍了中国先进芯片产业的发展。2023年，搭载国产7纳米芯片的智能手机上市销售。根据Techinsights的技术报告，这款国产芯片具备7纳米工艺特性，尽管在性能、能效、产能方面没有明显优势，但它是在美国制裁背景下开发出来的成果，刷新了Techinsights成立以来的技术新高度。
根据机构提供的相关资料分析，尽管中国芯片产业突破了美国的技术封锁，实现了先进芯片的量产商用，但在进一步发展中遇到了严重障碍。截至当前，中国大陆的芯片技术被锁定在了2023年发布的7纳米制程水平。缺乏核心EUV光刻机设备使得中国先进芯片发展陷入困境。
为了解决这一问题，中国企业采取了短期策略——囤积进口设备。《日经亚洲》报道显示，为了规避进一步制裁带来的风险，中国企业在2024年从ASML采购了约89.2亿欧元的制造设备，占ASML系统销售额的41%，成为ASML全年最大的客户订单。美国投资银行的半导体分析师Charles Shi表示，中国企业手中持有的大量ASML设备库存为中国开发自主光刻机赢得了时间。
囤积ASML进口设备的做法早在2023年就被行业学者披露。荷兰半导体观察者马克·海金克在其个人作品中提到，国际市场上已有非常成熟且价格合理的光刻机产品，购买进口光刻机对中国企业而言是明智之举。然而，随着美国实施技术制裁，全球化体系平衡被打破，中国无法顺利获取进口设备，导致产业链前端设备被“卡脖子”。再加上自主光刻机过于落后，无法填补缺口，使中国企业意识到自主技术研发的重要性。
面对美国不断加码的压力，中国芯片企业通过与ASML签订了巨额采购合同，大批量进口未被美国封锁的光刻机及相关耗材。这些措施不仅缓解了芯片短缺问题，也为自主研发创造了窗口期。尽管如此，中国芯片产业仍需加速推进全国产化进程，实现供应链完全自主可控。这不仅是应对当前挑战的关键，也是未来发展的必然选择。
近年来，随着中国芯片产业链加快国产替代步伐，一批本土设备企业迅速崛起，成为推动产业自主可控的重要力量。其中，新凯来作为国内领先的半导体设备制造商，正积极投身于包括光刻、沉积、清洗等多个关键制造环节的技术研发和设备供应。
新凯来专注于为芯片制造提供高性能、高可靠性、高集成度的设备解决方案，尤其在先进封装、测试、材料处理等领域已实现规模化应用。虽然目前在光刻核心技术上尚未达到国际顶尖水平，但其在产业链配套、设备集成化、国产供应链协同等方面展现出强劲的竞争力。这为中国在光刻机之外的制造设备实现自主可控提供了有力支撑。
在全球化遭遇挑战、技术封锁持续加码的背景下，像新凯来这样的本土企业，正承担起突破“卡脖子”难题的历史使命。通过持续的技术投入和产业协同，未来有望在光刻配套设备、关键零部件、材料处理等领域实现突破，助力中国构建安全、稳定、自主的半导体制造体系。
正如阿斯麦CEO克里斯托夫·富凯所言：“无论设定多少障碍，中国企业最终都会想办法去突破。”在政策支持、市场牵引、企业创新的多重驱动下，中国芯片产业正在走出一条自立自强的发展道路，而新凯来等本土设备企业，正是这条道路上的重要参与者和推动者。