韩媒：中国存储器产业崛起，长鑫存储与长江存储引领全球市场变革

据韩国朝鲜日报报道，近年来，中国在存储器领域的快速发展正在重塑全球市场的主导地位和定价动态。其中，长鑫存储科技（CXMT）和长江存储科技作为行业先锋，在过去一年中将产能提升了近一倍，显著增强了其在全球存储器市场的影响力。
自去年起，随着国内市场需求的增长和资金的支持，中国存储器企业在传统DRAM领域逐步提升竞争力，并开始挑战高带宽内存（HBM）及300层3D NAND闪存等高端产品线，逐渐缩小与三星电子、SK海力士等行业巨头的差距。
根据最新报告，CXMT的DRAM产能（基于晶圆投入）在第三季度增长了约70%，达到了72万片，而去年同期为42万片。预计今年全年，CXMT的DRAM晶圆产量将从去年的162万片增加到273万片。尽管CXMT在全球DRAM市场的份额在过去两三年间几乎可以忽略不计，但凭借生产线的快速扩张和出货量的急剧上升，它正迅速接近行业第三大公司美光的位置。因此，有预测认为当前由三星电子、SK海力士和美光三足鼎立的DRAM市场格局可能会转变为四强争霸的局面。
与此同时，由于长江存储产量的快速增长，NAND闪存市场上出现了供过于求的现象。尽管NAND闪存价格持续下滑，迫使三星电子、SK海士、铠侠和美光等主要厂商纷纷减产，但长江存储却逆势而上，自去年第一季度以来大幅提高了武汉二期工厂的产量。今年第二季度，长江存储武汉二期生产线的NAND产量达到了13万片，比去年同期翻了一番还多。长江存储的整体NAND产量也同比增长了42%。
除了扩大通用和传统存储器的产品组合外，这两家公司还在积极拓展先进技术领域。CXMT在高带宽内存（HBM）市场的发展速度超出了预期，计划在今年年底前完成第四代HBM产品HBM3的量产认证流程。据半导体设备行业的一位负责人透露，“CXMT正在积极扩建其在北京和合肥的工厂，并计划投资HBM封装设施”，并设定了内部目标——在未来两年内开始量产最先进的第五代HBM（HBM3E），目前这一领域由SK海力士和美光主导。
长江存储则致力于通过增加3D NAND闪存的层数来推进技术进步。层数越高，性能越强。例如，长江存储目前量产的NAND层数已达270层，虽然仍低于SK海力士的321层和三星电子的286层，但已取得显著进展。市场研究机构TechInsights评估称，长江存储实现了每平方毫米20.47吉比特的数据密度，标志着其在NAND性能上的重大突破。
然而，NAND市场全年面临着供过于求的压力。据估计，三星电子在今年第二季度报告了NAND业务的亏损，其他存储器制造商同样因价格下跌导致盈利能力下降。此前，市场研究机构已下调了对NAND闪存需求年度增长率的预测，从最初的30%调整至10%-15%之间。
综上所述，随着长鑫存储和长江存储不断加大研发投入和技术革新力度，中国存储器产业正逐步走向世界舞台中央，有望改变全球存储器市场的竞争格局。这不仅体现了中国在高科技领域的强大实力和发展潜力，也为全球消费者带来了更多选择与可能性。未来，我们期待看到更多由中国制造的高性能存储解决方案应用于数据中心、人工智能、智能手机等多个关键领域，推动各行业的数字化转型与发展。