长鑫存储DDR5量产延期至2025年末,工艺升级稳步推进
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-07-24
据传作为国内唯一具备DDR4/LPDDR4生产能力的DRAM厂商,长鑫存储今年初完成向DDR5/LPDDR5的技术切换,标志着其紧跟国际技术步伐。然而,受制于工艺成熟度和良品率,其DDR5大规模量产预计将延后至2025年末。
据悉,长鑫存储采用第四代DRAM节点工艺制造DDR5芯片,芯片面积比三星同类产品大约40%,接近三星2021年初水平,制造成本相对较高。此外,测试中还发现产品在极端温度下存在稳定性问题,需重新设计以提升可靠性。
目前,良品率仍维持在50%左右,尚未达到量产标准。尽管如此,长鑫存储的DDR5技术已接近南亚科技水平,与国际领先厂商的差距正在缩小。
随着技术持续优化和经验积累,长鑫存储有望在2025年末实现DDR5的稳定量产,进一步提升国产存储芯片的自给能力。
据悉,长鑫存储采用第四代DRAM节点工艺制造DDR5芯片,芯片面积比三星同类产品大约40%,接近三星2021年初水平,制造成本相对较高。此外,测试中还发现产品在极端温度下存在稳定性问题,需重新设计以提升可靠性。
目前,良品率仍维持在50%左右,尚未达到量产标准。尽管如此,长鑫存储的DDR5技术已接近南亚科技水平,与国际领先厂商的差距正在缩小。
随着技术持续优化和经验积累,长鑫存储有望在2025年末实现DDR5的稳定量产,进一步提升国产存储芯片的自给能力。