华邦电第二季度销售增长 产业前景向好

中国台湾半导体企业华邦电于8月6日举行业绩说明会，针对2025年第二季度的经营表现及未来展望进行了详细阐述。尽管受到新台币升值及汇兑损失扩大的影响，公司整体财务表现承压，但其核心存储器业务已呈现明显回暖趋势，旗下CMS（即DRAM事业）与闪存产品线均实现增长，其中CMS出货量创下两年来新高。公司总经理陈沛铭表示，第二季度将是未来两年业绩的低点，后续业务将进入持续成长阶段。
从第二季度财报来看，公司合并营收达到210亿元新台币，环比增长5.1%。然而，由于汇兑损失扩大至5.2亿元，主要受子公司新唐的影响，导致当期税后净亏损达16.3亿元，归属于母公司业主的净亏损为13.12亿元，每股亏损0.29元。上半年累计每股亏损为0.53元。毛利率方面，受新台币升值影响，汇率由32.82下滑至31.03，导致合并毛利率下降至10.6%，营业利益率也降至3.3%。
尽管财务数据受到汇率因素拖累，但华邦电主营业务的销售状况显著改善。在应用市场方面，四大领域——车用、工控、消费性电子、电脑应用与网通——全部实现增长。其中，车用与工控应用表现尤为强劲，环比增长达23%；消费性电子环比增长18%；电脑应用与网通分别增长10%和8%。华邦电指出，即便在汇率不利的环境下，各应用领域仍全面增长，显示出市场需求的强劲动能。
具体到产品线，华邦电CMS业务在第二季度营收环比增长17%，同比增长4%，创下近两年新高。位元出货量同比增长超过40%，其中采用20纳米制程的DDR3与利基型DDR4产品出货量迅速提升，已占CMS营收的21%。陈沛铭强调，随着利基型DDR4市场供需缺口显现，未来市场有望持续增长，供不应求的局面至少将持续至明年。
在闪存业务方面，第二季度营收环比增长13%，同比增长4%。尽管NOR Flash因测试环节存在瓶颈，短期出货受限，但整体位元出货量仍实现20%的增长。华邦电表示，目前渠道与客户端库存处于低位，预计从8月起供应情况将逐步改善。目前，6%的闪存营收来自45纳米新制程产品，该制程具备业界最小芯片面积优势，尤其受到可穿戴设备客户的青睐，出货量将持续攀升。
为应对未来市场需求，公司已启动新一轮资本支出。董事会通过投资40至50亿元新台币，在台中厂增设闪存产能，NOR Flash与SLC NAND的年产能将提升超过20%。其中，SLC NAND因受eMMC产能排挤，市场供应紧张，未来增长空间广阔。在技术演进方面，16纳米DRAM制程预计于年底完成，明年初开始出货，有望大幅缓解DDR4供应瓶颈；SLC NAND也将从现有的32纳米转向24纳米生产。
华邦电强调，公司生产规划具备高度弹性，未来将根据市场需求，将20纳米与25S制程逐步向更先进节点过渡。对于整体存储器产业的前景，陈沛铭表示，2025年DRAM产值有望突破千亿美元，主要由人工智能服务器与嵌入式应用驱动。公司旗下的Cube高毛利产品预计将于2026年下半年进入大规模工程样品阶段，2027年开始放量，到2028年预计在CMS营收中占比达到四至五成。