三星与SK海力士在2025 FMS大会展示AI存储技术新突破

2025年全球最大的NAND闪存技术盛会FMS（the Future of Memory and Storage）近日在美国加州成功举办。作为行业内的领军企业，三星电子与SK海力士在此次大会上并列发表专题演讲，展示了各自在人工智能时代存储技术领域的新方向。
SK海力士副社长兼HBM业务负责人崔俊龙指出，当前AI基础设施的发展已经进入了一个电力受限的阶段。数据中心面临的最大挑战不再是空间不足，而是电力供应的问题。SK海力士发布的第六代高带宽存储器（HBM4），相比HBM3，带宽提升了2倍，功耗效率最高提高了40%。崔俊龙强调，HBM不仅是关键组件，更是决定AI基础设施电力与效能的核心。
随后，SK海力士副社长金天成进一步阐述了“AI优化”策略。他提到，随着AI模型生成的Token数量在短时间内增长超过10倍，存储器和存储装置正在以AI为中心进行重组。传统的存储器、存储和运算独立运作的模式难以满足AI扩展的需求，SK海力士将致力于整合三者，推动真正的AI全端系统（AI Full Stack System）的实现。
与此同时，三星存储器事业部副社长林大贤表示，AI代理在推理阶段需要存储更多的状态和工具使用能力，这对存储设备的性能提出了更高的要求。他认为，存储器和存储设备正变得更加先进和专业化，成为下一代智能基础设施的关键组成部分。三星持续看好CXL（Compute Express Link）存储器扩展技术的发展潜力，并计划在2025年下半年发布新一代产品。林大贤指出，CXL存储器与HBM技术的进步将进一步提升AI模型的效能，并逐步成为AI基础设施的核心。
此外，三星副社长吴和锡在演讲中展示了基于PCIe Gen6的SSD PM1763规格。该产品在25W功耗限制下，提供2倍的效能和1.6倍的电源效率，预计于2026年初上市。他还透露，未来散热技术将从气冷转向“浸润式冷却”方式，以应对更高性能的需求。
通过这次大会，三星和SK海力士不仅展示了各自在AI存储技术领域的最新成果，也为未来的行业发展指明了方向。随着技术的不断进步，这些创新将为AI应用带来更强大的支持，助力各行各业实现智能化转型。