三星重启Z-NAND研发：瞄准AI时代超高速存储新赛道

综合海外媒体报道，三星电子正计划重启其高端存储技术Z-NAND的开发，目标是打造性能较当前主流NVMe SSD提升高达15倍、功耗降低最多80%的下一代存储解决方案。这一举措标志着三星在人工智能迅猛发展的背景下，重新布局高性能存储市场，以应对日益增长的低延迟、高吞吐数据处理需求。
早在2018年，三星就曾推出名为“Z-SSD SZ985”的Z-NAND产品，定位为介于DRAM与传统SSD之间的高速存储层级，旨在对标英特尔的3D XPoint傲腾技术。尽管初代产品在延迟和速度上相较传统SSD有显著提升，但由于成本高、应用场景有限，市场反响平平，后续未持续迭代。如今，随着AI大模型训练和推理对数据吞吐能力提出更高要求，三星决定重启这一技术路线，并赋予其全新的战略定位。
新一代Z-NAND不仅在架构上进一步优化，更聚焦于AI计算场景的深度适配。三星半导体存储业务执行副总裁透露，新技术将显著降低系统延迟，提升随机读写性能，尤其针对GPU密集型工作负载进行强化。为此，三星开发了一项名为“GPU-Initiated Direct Storage Access”（GIDS）的创新技术，允许GPU绕过CPU和主内存，直接从Z-NAND存储设备中读取数据，原理类似于微软DirectStorage API，可大幅缩短数据加载时间，提升AI训练与推理效率。
与英特尔基于全新材料体系的3D XPoint不同，初代Z-NAND本质上是采用单层单元（SLC）模式运行的高性能V-NAND闪存，通过将数据页大小从传统的8–16KB缩小至2–4KB，实现更精细的读写控制和更低延迟。若此次新一代Z-NAND能实现15倍性能飞跃，其表现将远超当前PCIe 5.0 NVMe SSD，有望在数据中心、AI服务器和高性能计算领域打开全新应用空间。
在AI驱动算力需求激增的当下，存储瓶颈日益凸显。三星此次重启Z-NAND，不仅是技术储备的再激活，更是对未来智能基础设施的提前布局。随着GIDS等配套技术的成熟，Z-NAND有望成为连接GPU与海量数据之间的高效桥梁，助力构建更高效、更低延迟的AI计算生态。