SK海力士加速1c DRAM技术进步，EUV应用层数达六层

SK海力士正积极推进第六代10纳米级DRAM技术的发展，计划将极紫外光刻（EUV）技术的应用层数提升至六层，以此进一步增强产品的性能与良率。在全球三大存储器制造商中，SK海力士、三星以及美光都在积极投资研发10纳米级先进DRAM制程。
目前，三星已经宣布成功突破了第六代（1c）DRAM的良率门槛，达到了超过50%的成功率；美光则在发布其1γ（Gamma）先进制程后，于今年2月向英特尔和AMD等主要客户送交了1γ DDR5样品进行验证；而SK海力士也在去年完成了1c制程DDR5的研发，领先竞争对手进入这一先进的制程阶段。
SK海力士增加EUV技术的应用，主要是因为其波长仅为13.5纳米，可以在晶圆上刻画出更为精细的电路图案，并减少多重曝光步骤，对于提高DRAM的密度、速度及能效具有关键作用。此次将EUV层数扩展至六层，意味着更多核心制程将采用该技术，不仅有助于提升生产良率，还能实现更精细且稳定的线路制作。相比之下，美光送样的1γ DDR5仅使用了一层EUV光罩，通过减少EUV使用量以降低成本，这与SK海力士高层数策略形成了鲜明对比。
随着1c制程与EUV技术的不断成熟，市场有望迎来容量更大、速度更快、能效更高的DDR5存储器产品。这些新产品不仅能更好地满足高性能计算（HPC）、人工智能服务器及数据中心对高速存储器的需求，也将推动高端PC与工作站性能的升级。此外，随着这些应用场景对存储器性能和能效要求的持续增长，DRAM制程对EUV技术的依赖度预计将进一步提高。制造商们必须在更多关键技术层面引入EUV技术，以追求更高性能与更小尺寸的产品，从而推动EUV在先进制程中的广泛应用和技术普及。