闪迪与SK海力士携手推进高带宽闪存技术变革

全球存储技术领域迎来一项重要合作，闪迪（SanDisk）与SK海力士近日宣布达成协议，共同推动基于NAND闪存的“高带宽闪存”（High Bandwidth Flash, HBF）技术发展，该技术有望重塑人工智能（AI）数据中心的内存架构与能效模式。双方致力于将HBF标准化，作为当前主流高带宽存储器（HBM）的创新替代方案，以应对AI模型日益增长的容量与功耗挑战。
HBF技术的核心理念是借鉴HBM的先进封装设计，但将部分DRAM堆叠替换为高性能NAND闪存，从而在延迟略有增加的前提下，显著提升存储容量并引入非易失性优势。据技术方案显示，HBF可提供相当于传统HBM八至十六倍的存储空间，而成本与现有HBM相近。这一突破对于运行大型语言模型（LLM）和复杂AI推理任务的数据中心而言，意味着更高的性价比和更强的扩展能力。
尤为关键的是，NAND闪存在数据保持过程中无需持续供电，这一特性有望大幅降低AI系统的待机能耗，并对数据中心的散热设计产生深远影响。随着AI计算规模不断扩大，散热与电力成本已成为制约发展的瓶颈之一。HBF技术通过减少对高功耗DRAM的依赖，有助于缓解数据中心的热负荷与运营成本压力，为绿色低碳计算提供新路径。
该技术理念与当前“将SSD作为内存扩展层”的研究方向高度契合，即通过将固态硬盘（SSD）整合进AI工作负载的数据层级，减轻DRAM的压力。HBF则进一步将这一逻辑集成于单一封装内，实现大容量存储与高访问速度的融合。闪迪已在2025年闪存峰会（Flash Memory Summit）上展示了基于其BICS NAND与WAFER技术的HBF原型，预计样品将于2026年下半年推出，首款搭载HBF的AI硬件产品有望在2027年初面世。
尽管目前尚未公布具体产品合作细节，但SK海力士作为全球领先的存储器供应商，其深度参与将有助于加速HBF生态的建立，并推动包括英伟达在内的AI芯片厂商采纳该标准。与此同时，行业内的其他企业也在探索类似路径，如三星提出AI存储层级方案，并持续推进HBM4 DRAM研发。若HBF技术成功落地，未来AI加速器或将采用由DRAM、闪存及其他持久性存储构成的异构内存架构，开启数据中心存储技术的新篇章。