中国DRAM厂家加速扩建 HBM 产线 缓解国内供应缺口

中国 DRAM 厂家正积极扩大 HBM 产线，以满足国内在人工智能领域对高频宽存储器的迫切需求。受美国出口限制影响，国内难以获取国外的 AI 用 HBM 产品，这在一定程度上阻碍了人工智能产业的发展。在此背景下，曾一度停滞设备投资的中国 DRAM 厂家已重启大规模投资计划，引进大量新设备扩大产能，不仅要量产最新的 DDR5 存储器，还计划在此基础上开发 HBM3 高频宽存储器产品。

据外媒报道，中国厂家从第三季度开始下单采购设备，将在国内的生产基地建立新产线。实际上，该厂家年初就曾告知设备供应商，计划通过订购新设备大幅提升产能，但受 DDR4将停产以及美国可能出台更严格出口禁令的影响，新设备的进厂时间有所延迟。按照规划，到 2026 年，其 HBM 产能将达到每月 5 万片晶圆，约为三星和 SK 海力士 2026 年 HBM 产能的 20%~25%。在 2025 年第一季度，中国厂家已占据全球 DRAM 市场约 6% 的份额。

由于美国半导体法规的限制，国内难以从英伟达和 AMD 等公司获取 AI 芯片，这也促使国内加速推进技术自主化。而问题的关键在于，美国政府对人工智能芯片的关键组成部分 —— 高频宽存储器（HBM）实施出口管制。有消息称已提出放宽 HBM 出口限制的要求。

在此情况下，中国 DRAM 厂家加紧推动 HBM 的国产化进程。目前，该厂家已完成 HBM2 的开发，正加速推进 HBM3 的量产工作，并从 2024 年开始进行大规模的设施投资。同时，为集中资源发展更高端的产品，该厂家未来将逐步停止生产 DDR4 DRAM，将现有 DDR4 生产设备升级改造为 DDR5 产线。不过，美国正考虑将该厂家列入出口限制实体清单，这也导致进口设备的引进出现延期。

当前，国内 HBM 短缺问题日益加剧。香港南华早报曾报道，HBM 短缺可能会削弱国内在人工智能领域的竞争力。尽管国内两家最大的存储器公司在相关领域取得了一定进展，但在产能和技术成熟度方面，与国外公司相比仍存在差距。

市场预测，短期内国内在 HBM 市场难以占据主导地位。国内研发中的 HBM 不仅型号相对较老，而且其堆叠 DRAM 所采用的制程，据称落后于国外企业两三年前就已量产的 10 纳米级 1a 制程。目前，三星和 SK 海力士已采用 10 纳米级 1b 制程 DRAM 生产 HBM，比国内厂家领先一两代。市场人士分析指出，该厂家的 HBM 实现商业化并进入市场还需要相当长的时间，对 2026 年的 HBM 市场影响有限。