​美光科技首席商务官：高带宽存储器市场进入深度整合新阶段

全球存储半导体产业正迎来关键转折点，高带宽存储器（HBM）市场即将迈入深度整合期。美光科技首席商务官苏米特·萨达纳近期公开表示，未来HBM市场的最终供应商可能将缩减至一到两家公司。这一表态揭示了行业从过去两年供不应求的“卖方市场”向供需平衡乃至供过于求转变的深刻趋势，标志着HBM产业竞争逻辑的根本性重塑。
此前，为满足人工智能芯片对高性能存储器的爆发式需求，各大存储厂商纷纷加速HBM产能扩张。然而，据机构Kiwoom Securities分析，自2026年起，HBM的供应增速预计将首次超过需求增速，市场将从紧缺转向宽松。这一转变意味着，单纯依靠产能扩张即可实现快速销售的模式将难以为继，企业必须通过技术实力与客户深度绑定来争夺市场份额。在此背景下，HBM3E等主流产品的价格预计在2026年可能出现高达20%的下调压力。
推动市场整合的核心动因在于技术门槛的急剧提升。从第六代HBM（HBM4）开始，产品不再仅仅是堆叠多层DRAM芯片，而是需要将客户定制的逻辑电路集成到底部的基础芯片中。这种“定制化HBM”模式要求供应商与客户进行长达数年的联合研发与大量验证工作，合作关系的稳定性与深度成为决定胜负的关键。美光正以此为契机，力图摆脱“行业第三”的定位，通过强调其在2025财年第四季度上调盈利预期、并有信心在来年售出全部HBM产品的业绩表现，向全球客户传递其作为长期可靠合作伙伴的信号。
这一战略调整使得市场竞争格局更加复杂。三星电子正致力于将当前在英伟达HBM3E认证进度上的暂时落后转化为未来机遇，机构预测其在HBM4市场的份额有望提升至30%，从而在2026年实现销量翻倍以上增长。而长期占据HBM市场主导地位的SK海力士，则面临双重挑战：既要巩固其作为英伟达核心供应商的地位，又要应对美光的强势追赶和三星的反攻。尽管SK海力士已开始与英伟达就HBM4的初步规格展开谈判，但其预计2026年销量增长率约为14%，增速略低于竞争对手，反映出市场争夺的激烈程度。
当前，HBM市场的竞争焦点已从“产能规模”转向“客户关系深度”与“定制化能力”。随着技术迭代加速与市场规则重构，存储半导体行业的赢家与输家将再度分化。美光的公开表态，无疑为这场深度整合拉开了序幕，全球产业链的目光正聚焦于未来谁能成为客户最终选择的“1到2家”核心供应商。