AI需求大爆发 群联潘健成：明年NAND Flash绝对供不应求

中国台湾地区NAND Flash控制芯片大厂群联执行长潘健成近日表示，随着AI需求的迅猛增长，Flash存储器面临需求激增但产能跟不上的困境。他直言：“再盖三倍厂都不够用”，并预测明年随着云端和边缘AI需求的爆发，NAND Flash将供不应求。
潘健成在出席中央大学“AI PC 创新实验室”揭牌仪式时指出，过去两年高频宽内存（HBM）市场表现优异，而NAND Flash由于利润较低，导致投资逐年减少，未来产能成长率非常有限。他强调，2024年随着云端和边缘AI需求的上升，NAND Flash将陷入供应不足的“完美风暴”。
潘健成提到，自今年8月起，美国云端大厂开始大量采购SSD（固态硬盘），原厂供货紧张。此外，中国大陆厂商如字节跳动预计在未来六个月内扩大采购，将进一步加剧缺货现象。他解释说，这些云端业者为了使GPU投资产生回报，必须不断生成和处理数据，这使得存储器需求大幅增加。
在这样的背景下，NAND Flash由于前几年市场需求较差，各家企业减少了产能投入，未来产能成长率有限。潘健成预测，随着边缘AI在2026、2027年逐渐成熟，存储器容量可能从512GB跃升至1TB，这将是重大突破。他认为，随着每个人都在使用AI，更多的数据需要储存，未来几年Flash存储器都将有良好的发展机遇。
潘健成还大胆预测，储存市场将迎来颠覆性变革。目前数据中心中SSD与传统硬盘（HDD）的比例约为2:8，但随着SSD容量迅速超越HDD，这一比例将被彻底打破。他表示，未来SSD将更具经济效益，引发大规模替代浪潮。当庞大的HDD采购需求转向SSD时，将引爆对NAND Flash的巨大需求。
潘健成透露，目前已有两家原厂表示到年底前无法交货，因为需求过于强劲。他预测今年第三季度NAND Flash价格可能上涨5%至10%，并指出上一波Flash涨价发生在2023年8月，但由于涨幅过大导致需求减少。这次价格上涨将采取较为温和的方式，以避免暴利后的亏损。
与此同时，潘健成分析了近期市场动态。他表示，由于供给吃紧和需求扩散，NAND Flash报价涨势比预期更强。潘健成进一步分析，近两年高频宽内存（HBM）的高收益吸引了众多存储器厂商加大投资，导致NAND Flash的投资连年下滑，产出成长有限。在需求方面，企业为让GPU投资转化为收入，必须扩大使用，直接拉动了存储用量。PC端随着AI应用普及，固态硬盘（SSD）容量从512GB迈向1TB，带来倍增式成长；Hybrid AI尚未完全发酵，未来普及将进一步推升数据与Flash需求。
潘健成总结道，由于供给吃紧和需求大增，NAND Flash晶片已经出现配额管制，两家日系原厂明示至年底前无法交货，只能“随行就市”。近期也观察到美系大客户大量采购固态硬盘（SSD），而中国大陆厂商约六个月后将扩大下单，需求动能持续累积。
业界分析，在云端服务大厂全力强化AI算力之际，单一机柜NAND需求量已经是过去的四倍以上，成为消耗当前产能的关键。