新型存储器UltraRAM：兼具DRAM与NAND优势，迈向量产

结合了DRAM和NAND闪存优点的新型存储器“UltraRAM”正在快速推进其商业化进程。据外媒报道，UltraRAM的开发公司Quinas Technology在过去一年中与先进晶圆产品制造商IQE合作，致力于将UltraRAM技术推进到工业化规模生产。
Blocks & Files和Tom’s Hardware的报道指出，这项合作已经成功。UltraRAM具备接近DRAM的高速度、耐用度比NAND高出4000倍、低于1飞焦耳的超低切换能耗以及长达千年的数据保存能力。目前，UltraRAM正逐步迈向量产阶段。
这一设计的重大进展主要得益于采用锑化镓（gallium antimonide）和锑化铝（Aluminium antimonide）的外延技术取得突破。这种全球首创的技术将帮助UltraRAM真正进入大规模生产。
IQE首席执行官Jutta Meier表示：“我们已经为UltraRAM开发出了可扩展的外延工艺，这是迈向工业化生产的重要里程碑。”
Quinas的首席执行官兼联合创始人James Ashforth-Pook也指出，这次合作是大学研究成果转化为商业存储产品的转折点。接下来，Quinas与IQE计划与各大晶圆厂及合作伙伴探讨试生产的可能性。
UltraRAM若能成功量产，将在多个应用场景中展现出巨大潜力。在数据中心领域，它可以实现高性能缓存与长期存储的一体化；在消费电子领域，它能为智能手机、笔记本电脑等设备带来更快的开机速度和应用加载时间；在工业控制和汽车电子等领域，其高耐用性和长数据保留时间也能满足极端环境下的稳定存储需求。
尽管技术突破令人振奋，但要实现真正的市场落地，UltraRAM仍需克服多重挑战，包括量产稳定性、成本控制和生态适配等问题。如果这些问题能够得到有效解决，UltraRAM有望为存储行业带来新的技术选择，推动通用存储器技术探索进入新阶段。