三星加速平泽5号工厂建设，扩大HBM4产能

据报道，三星电子正在加快其平泽第五工厂的建设进度。根据业界消息，施工准备工作已经启动，工人已经开始在施工现场搬运钢结构并接受安全培训，目标是在下个月开始全面建设。
最初，三星电子计划在去年开始建设第五座工厂，但由于半导体市场表现不佳，内存订单不足，公司调整了设备投资时机，放缓了建设步伐。三星电子平泽园区占地289万平方米，是全球最大的半导体生产基地，共包含六个工厂。从2017年第一工厂开始，第四工厂的部分区域目前已投入运营。原本与第五工厂一起推迟的第四工厂剩余生产线也在为复工做准备，预计下个月将开始垂直钢结构安装。
平泽第五工厂将配备一条10纳米第六代（1c）DRAM生产线。三星电子计划使用1c工艺量产用于第六代产品的HBM4 DRAM。最近，三星电子已通过HBM4的内部量产批准，并正在进行样品生产，以便与客户进行供应谈判。
这一举措标志着三星电子在高端存储器市场的进一步扩展。HBM4（高带宽存储器第四代）作为新一代高性能存储器，具有更高的数据传输速率和更低的功耗，广泛应用于人工智能、数据中心和高性能计算等领域。随着市场需求的增长，三星电子希望通过提升HBM4的生产能力，满足客户的多样化需求，并巩固其在全球半导体行业的领先地位。
与此同时，三星电子还在积极推进其他技术升级和产能扩张项目。例如，三星位于西安的晶圆厂正在从128层堆叠技术转向236层堆叠技术，以提高NAND Flash的生产效率和性能。这些努力不仅有助于提升公司的竞争力，还将推动整个半导体行业的发展。
总的来说，三星电子通过加速平泽第五工厂的建设和扩大HBM4产能，展现了其对高端存储器市场的信心和承诺。未来，随着更多新技术的应用和新产品的推出，三星电子有望继续引领行业发展，为客户带来更加先进的技术和解决方案。对于消费者和企业来说，及时关注这些动态将有助于把握最新的市场趋势和技术进步。