SK海力士准备量产全球首款HBM4芯片，2026年市占率预计达50%

韩国存储器芯片制造商SK海力士于9月12日宣布，已准备好量产其下一代高频宽存储器HBM4芯片。此举不仅使其领先竞争对手，还为行业树立了新的里程碑。
HBM因其紧凑、高容量的体积和卓越的存储频宽，成为AI训练的首选存储器。HBM4作为HBM标准的第四代重要版本，采用2048个输入/输出端子，使频宽翻倍，并具备全新的电源管理和可靠性功能。
令人瞩目的是，SK海力士在HBM4中实现了超过10Gbps的运行速度，远超JEDEC标准规定的8Gbps。
英伟达预计将在2026年下半年推出的下一代GPU平台Rubin中使用8颗SK海力士的12层HBM4芯片。由于SK海力士生产的HBM4具有显著优势，这使得三星电子和美光科技追赶的步伐变得更加困难。
例如，美光公司计划于2025年6月开始向客户提供36GB 12层HBM4堆叠样品，这些堆叠采用2048位接口，频宽约为当前HBM3e模块的两倍，预计将于2026年某个时候开始量产。
与此同时，三星一直在努力让其HBM3e堆叠获得英伟达Blackwell加速器的验证，而HBM4则需要更多时间来突破技术瓶颈。
近年来，随着AI需求和数据处理的急剧增长，对高频宽存储器的需求也随之激增，从而加快了系统速度。此外，随着数据中心功耗的增加，确保存储器的能效已成为客户的关键要求。SK海力士预计，频宽和功耗均有所提升的HBM4将成为满足客户需求的最佳解决方案。
SK海力士表示，与上一代产品相比，HBM4的能源效率提升了40%以上，预计将AI服务性能提升高达69%，从而解决数据瓶颈问题，同时降低数据中心的能耗和成本。
在HBM4的量产方面，SK海力士采用了已被市场验证可靠的先进MR-MUF堆叠方法和第五代1b、10纳米制程技术，最大限度地降低了生产风险。
MR-MUF工艺在堆叠芯片之间注入液态保护材料，保护电路并使其硬化，从而提高散热效率。该公司强调，这项技术对于确保HBM规模化生产的稳定性至关重要。如今即将建立全球首个HBM4量产系统，这让SK海力士更能巩固其在HBM市场的领导地位。
业内分析师预测，SK海力士HBM4的售价可能比上一代产品高出60%至70%。随着竞争对手三星电子和美国美光科技于2026年以后进入市场，价格可能会逐渐下降。
Counterpoint Research表示，尽管竞争格局瞬息万变，但预计SK海力士仍将保持领先地位，到2026年有望占据HBM市场约50%的占有率。专家认为，HBM4的量产将为SK海力士在2026年带来更大的竞争力。这一进展不仅展示了SK海力士的技术实力，也为未来的高性能计算和人工智能应用提供了强有力的支持。