三星V9 QLC NAND商业化遇瓶颈，2026年市场爆发成关键

尽管人工智能（AI）产业对高容量存储需求日益增长，但三星电子在其第9代（V9）QLC NAND Flash商业化进程中遭遇了技术瓶颈。原定于2024年下半年启动的首次量产计划因性能问题延期，目前三星正全力进行设计及制程端的改进工作。
根据ZDNet Korea报道，三星已将V9 QLC NAND全面商业化时程推迟至2026年上半年。这一延迟对三星在高容量NAND市场的竞争力构成压力，尤其是在AI产业对数据处理能力提出更高要求之际。
三星V9 NAND采用了280层堆叠设计，并于2024年4月成功量产采用TLC结构的产品，达到1TB容量。为提升存储密度，三星宣布在2024年9月开始量产V9 QLC NAND产品。相较于TLC，QLC NAND能实现更高的存储容量，成为满足现代数据中心和AI应用庞大数据需求的关键技术。
然而，初期产品表现出性能下降的问题，根源在于设计层面。为解决这些瓶颈，三星正在进行设计和制程端的改进工作，预计最快在2026年上半年完成。
为了配合未来量产需求，三星计划扩大V9 NAND生产能力，在平泽园区和中国西安的晶圆厂进行转换投资。尽管具体投资规模尚未确定，预计总生产能力将进一步提升。
V9 QLC NAND对三星的高附加值存储业务至关重要。当前NAND市场因AI产业发展而经历结构性转变，对高容量产品的需求呈爆炸性增长。然而，三星在QLC NAND市场仍停留在V7世代，导致其在该市场相对落后。
根据市调机构和外资摩根士丹利的数据，预计2026年全球QLC NAND出货量中，三星占比仅为约9%，远低于SK海力士子公司Solidigm的36%、铠侠和SanDisk的29%以及美光的17%。
韩国半导体业界相关人士指出，三星若想从中受益，必须确保尖端产品的稳定生产。这意味着三星需克服V9 QLC NAND的技术挑战，抓住AI时代带来的市场机遇，并在高容量NAND市场重新确立领先地位。
因此，三星未来数月的改进成果将成为业界关注的焦点。通过解决技术瓶颈、扩大生产能力并加快产品迭代，三星有望在未来几年内大幅提升其在全球QLC NAND市场的份额，从而在快速发展的AI和数据中心领域占据有利位置。这一系列努力不仅有助于提升公司的盈利能力，也将为其长期发展提供强大动力。