美光与台积电合作开发HBM4：推动高性能内存技术发展

美光已确认向客户交付业界最快的11 Gbps HBM4 DRAM，并与中国台湾半导体厂台积电合作推出下一代HBM4E。行业观察指出，各大厂商为确保生产稳定和高品质的产品，均已选择与台积电合作开发下一代HBM相关基底逻辑芯片，仅有三星仍在自主研发。美光表示，新的HBM4产品在性能和效率方面将超越所有竞争对手。
在最新的2025财年第4季及全年财报电话会议上，美光公布了其DRAM和NAND闪存业务的一些关键进展。本季度营收达到113.2亿美元，较上一季度的93.0亿美元有所增长；全年营收则从251.1亿美元增长至373.8亿美元。为了进一步提升业绩，该公司正积极寻求通过下一代解决方案来增强市场竞争力。
美光科技表示，其HBM4 12-Hi DRAM解决方案进展顺利，为了满足近期不断增长的性能需求，该公司已经生产并交付了迄今为止速度最快的HBM4解决方案的首批样品。该解决方案提供超过11 Gbps的引脚速度和2.8 TB/s的带宽。
除了HBM4，美光还谈到了下一代HBM4E内存。与完全基于自主研发生产业先进CMOS基础芯片的HBM不同，美光将与台积电合作生产HBM4E内存的基础逻辑芯片。标准版和定制版均将采用此方案。美光预计，HBM4E将于2027年上市。
美光与台积电的合作不仅限于HBM4E，还包括其他高性能内存产品的研发。通过这种合作，美光能够利用台积电先进的制造工艺和技术，确保产品的高质量和稳定性。同时，这也为美光提供了更多的灵活性和创新能力，以应对日益增长的市场需求。
此次合作对于整个半导体行业来说具有重要意义。随着AI、数据中心和其他高性能计算应用的快速发展，对高性能内存的需求也在不断增加。HBM作为其中的关键组件，将在未来几年内迎来爆发式增长。美光与台积电的合作无疑将加速这一进程，推动整个行业的技术进步和发展。