铠侠新厂投产,抢攻AI需求
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-10-02
日本NAND Flash大厂铠侠(Kioxia)位于岩手县北上市的新工厂“第2厂房(K2)”已开始投产,并计划在2026年上半年全面出货。这一消息推动了其合作伙伴Sandisk的股价一度创下历史新高。
Sandisk在9月30日下跌1.15%,收于112.2美元,但盘中一度飙涨逾6%至120.74美元,创下了自2月13日挂牌以来的盘中历史新高纪录。9月29日收盘价为113.5美元,也达到了历史收盘新高。
铠侠和Sandisk在9月30日宣布,北上工厂“第2厂房(K2)”已经开始投产。随着AI技术的普及,NAND Flash的中长期需求预计将持续增长。K2将生产采用CBA(CMOS直接键合到阵列)技术的第8代3D NAND Flash产品(堆叠218层),并将在2026年上半年开始全面出货。未来还将根据市场需求,持续进行设备投资,逐步提高产能。
运营北上工厂的“铠侠岩手株式会社”社长柴山耕一郎表示:“K2生产的第8代及其下一代的NAND Flash产品,将为快速发展的AI市场提供新的价值。铠侠将继续利用双方的合作伙伴关系及规模经济,生产先进的NAND Flash产品,实现有机增长。”铠侠和Sandisk已经合作超过20年,共同运营四日市工厂(三重县四日市市)和北上工厂。
据日媒报道,如果K2满负荷生产,北上工厂的产能几乎可以翻倍。目前北上工厂有约2400名员工,为了增产,计划在2026年和2027年各增聘100人。
铠侠在其6月5日公布的中长期运营计划中指出,目标是在截至2029年度为止的5年内,将产能提高至2024年度的两倍。铠侠将在日本的两座主要工厂(四日市工厂和北上工厂)扩增生产线,增加AI数据中心用NAND Flash的产量,并计划在2026年后半开始生产次世代存储器。
铠侠计划生产的次世代存储器被称为“储存级存储器(SCM、Storage Class Memory)”,其数据读取速度比NAND Flash更快,且与当前AI用DRAM相比,具有更大的存储容量。预计在获得AI半导体厂商验证后,将导入量产。
此次铠侠的新厂投产不仅满足了日益增长的AI市场需求,也为未来的存储技术发展奠定了坚实基础。随着AI应用的不断扩展,高性能存储解决方案的需求将持续攀升,铠侠和Sandisk的合作将进一步巩固其在全球存储市场的领先地位。
Sandisk在9月30日下跌1.15%,收于112.2美元,但盘中一度飙涨逾6%至120.74美元,创下了自2月13日挂牌以来的盘中历史新高纪录。9月29日收盘价为113.5美元,也达到了历史收盘新高。
铠侠和Sandisk在9月30日宣布,北上工厂“第2厂房(K2)”已经开始投产。随着AI技术的普及,NAND Flash的中长期需求预计将持续增长。K2将生产采用CBA(CMOS直接键合到阵列)技术的第8代3D NAND Flash产品(堆叠218层),并将在2026年上半年开始全面出货。未来还将根据市场需求,持续进行设备投资,逐步提高产能。
运营北上工厂的“铠侠岩手株式会社”社长柴山耕一郎表示:“K2生产的第8代及其下一代的NAND Flash产品,将为快速发展的AI市场提供新的价值。铠侠将继续利用双方的合作伙伴关系及规模经济,生产先进的NAND Flash产品,实现有机增长。”铠侠和Sandisk已经合作超过20年,共同运营四日市工厂(三重县四日市市)和北上工厂。
据日媒报道,如果K2满负荷生产,北上工厂的产能几乎可以翻倍。目前北上工厂有约2400名员工,为了增产,计划在2026年和2027年各增聘100人。
铠侠在其6月5日公布的中长期运营计划中指出,目标是在截至2029年度为止的5年内,将产能提高至2024年度的两倍。铠侠将在日本的两座主要工厂(四日市工厂和北上工厂)扩增生产线,增加AI数据中心用NAND Flash的产量,并计划在2026年后半开始生产次世代存储器。
铠侠计划生产的次世代存储器被称为“储存级存储器(SCM、Storage Class Memory)”,其数据读取速度比NAND Flash更快,且与当前AI用DRAM相比,具有更大的存储容量。预计在获得AI半导体厂商验证后,将导入量产。
此次铠侠的新厂投产不仅满足了日益增长的AI市场需求,也为未来的存储技术发展奠定了坚实基础。随着AI应用的不断扩展,高性能存储解决方案的需求将持续攀升,铠侠和Sandisk的合作将进一步巩固其在全球存储市场的领先地位。