三星加入HBF战局，NAND市场迎来新变革

根据韩媒报道，三星电子已着手展开高频宽闪存（HBF）产品的概念设计与初期开发，准备加入新一轮存储器市场的竞争。HBF的设计理念与高频宽存储器（HBM）相似，均采用硅穿孔（TSV）技术将多层芯片堆叠连接。不同的是，HBM以DRAM为核心，而HBF则采用NAND闪存，具备更大容量和更具竞争力的成本优势。
随着数据中心对存储器容量需求的不断攀升，现有的NAND容量逐渐显得不足。同时，HBM属于易失性存储器，一旦断电就会丢失所有数据；若能额外搭配具备非易失特性的NAND闪存，则可在确保数据保存的同时，兼顾高速运算需求。因此，未来市场预期将逐步转向HBM + HBF的双架构模式，以满足人工智能算力对高频宽与大容量的双重需求。
SK海力士与SanDisk最早启动了HBF标准的开发，并已签署合作备忘录，目标是在2026年供应样品，2027年实现量产。与此同时，日本铠侠也在今年8月展示了超高速原型，率先展现了其技术实力。这些动作表明，HBF已经成为全球存储器厂商积极布局的新战场。
如今，NAND闪存市占率第一的三星电子正式加入战局，被视为可能改变市场走向的关键力量。根据机构数据显示，受益于AI服务器带动的企业级SSD需求，三星第二季度全球NAND市占率小幅上升至32.9%，稳居首位。若将此优势转化为HBF领域的发展，将使其他企业难以切入市场。
随着AI模型规模的快速膨胀，仅依靠HBM恐难完全支撑数据中心的庞大需求，因此业界开始关注HBF作为补充方案的可能性。HBF若能成功实现，有望在确保低延迟的同时，为图形处理器提供更大容量的数据存取，并减少不必要的成本。
三星此次加入HBF战局，不仅是为了巩固其在全球存储器市场的领导地位，更是为了应对未来AI数据中心对高性能存储解决方案的需求。通过结合HBM和HBF的优势，三星旨在为客户提供更全面、更具竞争力的产品组合，助力推动AI技术的发展和应用。
随着三星、SK海力士、SanDisk和铠侠等主要厂商的积极参与，HBF市场前景广阔。未来，随着更多创新技术和产品的推出，HBF有望成为满足AI时代存储需求的重要组成部分，为全球数据中心和计算平台带来新的发展动力。