三星加入HBF争夺战，挑战SK海力士与铠侠

根据韩媒报道，三星电子已着手展开高频宽闪存（HBF）产品的概念设计与初期开发，准备加入记忆体市场新一轮竞争。HBF的设计理念与高频宽存储器（HBM）相似，均通过硅穿孔（TSV）技术将多层芯片堆叠连接。不同之处在于，HBM以DRAM为核心，而HBF则采用NAND闪存，具备更大容量和更具竞争力的成本优势。
随着数据中心对存储器容量需求的攀升，现有的NAND容量已逐渐显得不足。同时，HBM属于易失性存储器，一旦断电就会丢失所有数据；若能额外搭配具备非易失特性的NAND闪存，则可以在确保数据保存的同时，兼顾高速运算需求。因此，未来市场预期将逐步朝向HBM + HBF的双架构模式，以满足AI算力对高频宽与大容量的双重需求。
SK海力士与SanDisk最早启动了HBF标准的开发，并已签署合作备忘录，目标在2026年供应样品、2027年量产。同时，日本铠侠也在今年8月展示了超高速原型，率先展现其技术实力。这些动作表明，HBF已成为全球存储器厂商积极布局的新战场。
如今，作为NAND闪存市占率第一的三星电子正式加入战局，被视为可能改变市场走向的关键力量。根据机构数据显示，受惠于AI服务器带动企业级SSD需求，三星第二季度全球NAND市占率小幅上升至32.9%，稳居首位。如果将这一优势转化为HBF领域的发展动力，其他企业将难以切入市场。
随着AI模型规模快速膨胀，仅依靠HBM恐难完全支撑数据中心的庞大需求，因此业界开始关注HBF作为补充方案的可能性。HBF若能成功实现，不仅有望在确保低延迟的同时为GPU提供更大容量的数据访问，还能减少多余成本。
三星的加入使得HBF市场的竞争更加激烈。这不仅是技术上的较量，更是对未来数据中心和AI应用市场需求的争夺。随着更多企业的参与和技术进步，HBF有望成为下一代存储解决方案的重要组成部分，推动整个行业向前发展。