台积电1.4纳米厂即将动工，自主研发技术引关注

中国台湾半导体厂台积电计划于2025年底启动2纳米制程量产，并持续向更先进的1.4纳米迈进。根据科技媒体《Wccftech》的报道，台积电将在本地展开1.4纳米生产线的初步建设。值得注意的是，台积电不打算采用阿斯麦（ASML）最新的高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）曝光机，而是依靠试错法来改进制程。
台积电计划在今年底在台中动工兴建1.4纳米新厂，预计2028年下半年实现量产，与外界推测的时程一致。A14制程有望使芯片功耗再降低30%。目前，台中厂已经开始招募人力，3栋厂房的建照已于8月核发，初期投资金额可能高达490亿美元（约1.5万亿新台币），其中一部分将用于在2027年采购约30台EUV曝光机。
科技分析师Dan Nystedt在X平台上透露，台积电不会购买ASML的High-NA EUV曝光机，原因是这些设备价格昂贵，每台售价高达4亿美元。台积电曾表示，现有的EUV设备已足以支持1.4纳米量产。
据报道，台积电可能会采用复杂的多重曝光（multi-patterning）技术来实现1.4纳米的制程目标。虽然这种方法较为复杂、耗时且初期良率较低，但台积电可以通过不断试错逐步改善A14制程。
这种研发方法类似于中芯国际开发5纳米制程的方式，但台积电拥有成熟的EUV设备和技术经验，并且距离量产还有数年的准备时间，可以持续优化制程，巩固其在全球半导体产业的领先地位。
尽管面临挑战，台积电依然选择了一条自主创新的道路。通过不断的技术迭代和工艺优化，台积电有望在未来几年内推出更加先进的芯片制造技术，继续引领全球半导体行业的发展方向。