铠侠BiCS Flash:赋能AI时代的高效存储
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-10-16
随着AI算力需求激增,存储系统正成为数据中心的关键瓶颈。高性能、大容量、低功耗的闪存技术,正从幕后走向前台,成为释放AI潜能的核心支撑。
铠侠第八代BiCS Flash已在企业级市场全面落地。其TLC产品广泛用于CM9、CD9P等SSD,性能稳定可靠;QLC版本则助力LC9系列推出245.76TB超大容量NVMe SSD,单盘实现PB级存储,满足生成式AI对海量数据高速访问的需求。依托2Tb芯片、32层堆叠与CBA控制器协同技术,实现高吞吐与低延迟。
该技术也已应用于UFS 4.0/4.1移动存储,为旗舰手机和智能汽车提供接近NVMe SSD的响应速度与能效表现,成为2025年高端设备的理想选择。
未来,铠侠将推出第九代及第十代BiCS Flash。第十代产品将采用Toggle DDR6.0接口与SCA协议,接口速度达4.8Gb/s,功耗更低,并通过332层堆叠提升位密度,持续突破存储极限。
从数据中心到智能终端,铠侠以BiCS Flash为核心,围绕性能、容量、功耗与成本四大维度,打造面向AI时代的高效存储解决方案。
铠侠第八代BiCS Flash已在企业级市场全面落地。其TLC产品广泛用于CM9、CD9P等SSD,性能稳定可靠;QLC版本则助力LC9系列推出245.76TB超大容量NVMe SSD,单盘实现PB级存储,满足生成式AI对海量数据高速访问的需求。依托2Tb芯片、32层堆叠与CBA控制器协同技术,实现高吞吐与低延迟。
该技术也已应用于UFS 4.0/4.1移动存储,为旗舰手机和智能汽车提供接近NVMe SSD的响应速度与能效表现,成为2025年高端设备的理想选择。
未来,铠侠将推出第九代及第十代BiCS Flash。第十代产品将采用Toggle DDR6.0接口与SCA协议,接口速度达4.8Gb/s,功耗更低,并通过332层堆叠提升位密度,持续突破存储极限。
从数据中心到智能终端,铠侠以BiCS Flash为核心,围绕性能、容量、功耗与成本四大维度,打造面向AI时代的高效存储解决方案。