三星押注HBM4：良率未达标仍全力冲刺AI存储市场

据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子正考虑解散负责1c DRAM良率提升的专案小组，将核心人力与资源全面转向HBM4量产，力争在2024年底前进入英伟达供应链，重夺高端存储市场主导权。
三星计划采用更先进的1c制程作为HBM4的核心芯片，理论上可带来更高带宽与能效。然而，目前该制程在低温测试（冷测）阶段的良率仅为35%至50%，尚未达到量产标准。由于1c制程线宽进一步缩小，对光刻与蚀刻工艺的精度要求极高，技术挑战远超前代1b制程。
相比之下，竞争对手SK海力士已基本完成HBM4量产准备，采用成熟的1b制程与MR-MUF封装技术，良率超过70%，具备量产盈利能力。美光也在积极推进相关布局。
此前，三星成立专案小组聚焦1c制程稳定性，但在AI需求爆发的紧迫形势下，公司选择跳过内部量产审批流程，直接推进HBM4产线建设，显示出“以速度换效率”的战略决心。
市场研究机构Counterpoint数据显示，2024年第二季度全球HBM市场份额中，SK海力士以62%位居第一，美光占21%，三星仅17%，首次跌至第三。若无法尽快提升HBM4良率，其市场差距恐将进一步拉大。
随着AI训练对高带宽存储需求激增，HBM4被视为2025年关键的技术战场。三星此次孤注一掷，意在通过技术代差抢占先机，但量产稳定性仍是其重返巅峰的最大考验。