三星HBM4事业展露曙光　1c DRAM良率传逼近80%

三星电子新一代存储器第六代DRAM（1c DRAM）量产传来捷报，据韩媒报道，其良率已接近量产目标的80%。作为第六代高带宽存储器（HBM4）的基础核心产品，1c DRAM良率的显著提升，标志着三星在HBM4量产进程上取得关键突破，为后续产品推出奠定了坚实基础。
此前，三星在HBM3E及HBM4的市场竞争中落后于SK海力士，主要受制于1c DRAM制程的良率瓶颈。为扭转局势，三星自2024年起对1c DRAM设计进行重大调整，通过优化外围电路线宽等方案，有效解决了电容漏电等技术难题，大幅提升了生产良率。
随着1c DRAM良率接近理想水平，三星已计划于2025年10月27日至31日举行的三星科技展上正式发布其HBM4产品，并有望在下半年开始供应样品。若能顺利实现大规模量产，三星将有望凭借更先进的1c工艺和自研4纳米逻辑芯片的整合优势，在AI高带宽存储器市场重新夺回竞争力，挑战当前由SK海力士主导的市场格局。