SK海力士曝光第二代A-Die颗粒，DDR5原生7200时代将至

据最新消息，SK海力士第二代3Gb DDR5 A-Die存储芯片已现身网络，型号为H5CG08AKBD，代号X021，首次实现原生支持7200MT/s JEDEC标准频率。这一进展标志着DDR5高频内存即将迈入7200MT/s的新阶段，为下一代计算平台提供更强性能支持。
该芯片由行业人士在社交平台曝光，其零件编号中的“KB”为全新速度代号，按照SK海力士的命名规则，EB对应4800MT/s、GB对应5600MT/s、HB对应6400MT/s，因此KB明确指向7200MT/s。十铨科技相关人士也已确认，该颗粒原生速率确为7200MT/s，无需超频即可稳定运行，将逐步取代现有的M-Die产品。
这款新一代A-Die芯片将主要配合英特尔未来的Arrow Lake Refresh与Panther Lake平台使用。据悉，这两代处理器将原生支持DDR5-7200，相较当前主流平台的6400MT/s进一步提升带宽，满足高性能计算、人工智能及游戏应用对内存速度的更高需求。
尽管芯片性能提升显著，但专家指出，要充分发挥其潜力，内存模组需采用10层或12层PCB设计，以保障信号完整性与电源稳定性。目前曝光的样品使用8层PCB，可能限制其在8000MT/s以上频率的稳定表现。未来高端内存产品预计会全面升级PCB层数，推动DDR5-8000乃至更高频率的普及。
凭借A-Die在超频市场的优异口碑，SK海力士此次推出原生7200MT/s的第二代产品，不仅巩固了其在高性能存储领域的领先地位，也有望让高频内存从极限玩家的小众选择，逐步走向主流市场。