三星宣布将FinFET技术引入NAND闪存生产

在近日举行的SEDEX 2025技术论坛上，三星电子设备解决方案部门技术长宋在祜发表主题演讲，宣布公司计划将鳍式场效电晶体（FinFET）制程技术应用于NAND闪存的生产。这一举措被视为三星在存储技术领域的重大突破，旨在应对人工智能（AI）芯片组对更高容量、更快速度存储器的持续增长需求。
FinFET是一种三维晶体管结构，因其形状类似鱼鳍而得名。该技术此前主要应用于逻辑芯片的代工制造，如CPU、GPU等，以提升性能并降低功耗。三星此次计划将其引入NAND闪存生产，尚属全球业界首次，标志着存储芯片技术进入新阶段。
三星表示，随着传统平面（2D）结构逐渐逼近物理极限，3D堆叠技术已成为提升存储密度的关键。而FinFET的引入，将进一步优化晶体管的控制能力，显著提升单位面积内的集成密度。更高的集成度意味着在相同芯片尺寸下可容纳更多存储单元，从而实现更大容量和更快速的数据传输。
此外，FinFET技术还有助于降低功耗、提升信号传输速度，并缩小芯片整体尺寸，为智能手机、笔记本电脑及数据中心等设备提供更高效、更紧凑的存储解决方案。尽管该技术目前仍处于规划阶段，尚未投入量产，但其潜在优势已引发业界广泛关注。
随着AI和大数据应用的快速发展，对高性能存储的需求持续攀升。三星此举不仅展现了其在半导体技术上的领先布局，也为未来NAND闪存的演进方向提供了新的可能。