台积电前研发高管罗唯仁传加盟英特尔，半导体人才流动引关注

市场传出，中国台湾半导体厂台积电前技术研发暨企业策略发展资深副总经理罗唯仁，在2024年7月退休仅三个月后，或将加入美国英特尔公司并掌管芯片研发部门。现年75岁的罗唯仁在台积电任职长达21年，曾主导28纳米High-K金属栅极技术量产，并推动EUV极紫外光刻在5纳米、3纳米及2纳米先进制程中的应用，是台积电先进工艺发展的核心人物之一。
罗唯仁早年曾任职于英特尔，拥有深厚的半导体制造经验，其职业生涯横跨两家全球顶级芯片企业。尽管目前双方均未对此传闻作出回应，但消息已在业界引发广泛讨论。由于英特尔与台积电在先进制程领域存在直接竞争关系，尤其在18A、14A等节点上亟需提升良率与量产能力，罗唯仁若真加盟，或将在技术路线与量产管理方面提供关键支持。
然而，考虑到其退休时间较短，且台积电通常与高管签署竞业禁止协议，此举是否合规仍存疑。尽管罗唯仁为美国籍，法律约束力可能有限，但其掌握的大量核心技术信息仍引发对知识产权保护与产业安全的关切。
当前，台积电正稳步推进2纳米制程量产，而英特尔则在美国政策支持下积极发展晶圆代工业务。即便引入资深人才，英特尔在代工领域仍面临客户信任、生态建设与量产稳定性等多重挑战，短期内难以撼动台积电的领先地位。此番人事传闻也反映出全球半导体产业在地缘竞争加剧背景下，高端人才争夺已进入白热化阶段。