慧荣总经理示警：存储器缺货将延续至2026年？

中国台湾半导体厂慧荣科技总经理苟嘉章近日公开表示，当前DRAM与NAND闪存市场正面临30年来罕见的“结构性缺货”，其严重程度已超过疫情期间台积电先进制程的产能紧张局面。他明确指出，这一轮缺货将贯穿2026年全年，预计到2027年下半年才有望缓解。
此次缺货并非源于厂商减产，而是AI推理与高端智能手机需求爆发，导致产能布局发生根本性转移。微软、谷歌、亚马逊、Meta等云服务商大规模投入AI推理应用，推高对HBM和DDR5等高性能存储器的需求。为满足订单，三星、SK海力士、美光等原厂将大量产能转向HBM和先进制程DRAM，直接挤压了传统DDR4及标准NAND的供应。
据透露，SK海力士已宣布2026年全部产能售罄，市场普遍进入“有货就行”的抢购状态，价格谈判已不再是焦点。以服务器用DDR5为例，部分订单交货率仅能维持在70%左右，供需缺口呈现倍数级扩大。
苟嘉章强调，尽管存在重复下单现象，但实际需求极为强劲，整体失衡短期内难以扭转。NAND市场同样紧张，除韩系与日系大厂外，中国长江存储凭借内需支撑，有望三年内跻身全球前四大供应商，重塑市场格局。
此外，传统硬盘供应链集中且扩产保守，交期长达一年以上，也促使更多客户转向NAND方案。在此背景下，大型存储厂商与云服务商成为主要受益者，而中小模组厂、车用及工业应用等议价能力较弱的领域则面临成本飙升、拿货困难的困境。
业界普遍预期，DRAM市场或于2027年后逐步回稳，但NAND及大容量存储需求的紧张态势可能持续至2028年甚至更久。如何在高景气周期中实现稳健扩产，避免未来市场剧烈波动，已成为全球供应链共同面临的挑战。