SK海力士发布“全栈AI存储器创造者”新战略，全面布局下一代AI存储技术

在人工智能应用加速落地、数据流量呈指数级增长的背景下，存储器正从传统配套元件跃升为AI计算体系的核心支柱。2025年11月3日，韩国存储器巨头SK海力士首席执行官郭鲁正（Kwak Noh-Jung）在首尔举行的“SK AI Summit 2025”峰会上正式提出“全栈AI存储器创造者”（Full Stack AI Memory Creator）的新愿景，标志着公司从“存储器供应商”向“AI生态共建者”的战略升级。
郭鲁正指出，当前AI发展面临“存储器墙”（Memory Wall）瓶颈——处理器性能持续飞跃，但存储器带宽与容量却难以同步跟进，严重制约AI推理效率。在此背景下，存储器不再只是被动的数据容器，而是决定AI系统整体效能的关键变量。SK海力士因此不再满足于提供标准化产品，而是以“共同架构师、合作伙伴与生态贡献者”的角色，深度参与客户系统设计，协同解决AI计算中的结构性挑战。
为实现这一目标，SK海力士系统性推出三大AI存储产品线：定制化HBM（Custom HBM）、AI DRAM（AI-D）和AI NAND（AI-N），全面覆盖从训练到推理、从数据中心到终端设备的多元场景。
在HBM领域，公司正推动从通用型向高度定制化演进。定制化HBM将GPU或ASIC的特定功能集成至HBM基座，不仅最大化计算单元性能，还能显著降低数据传输功耗，提升整体系统能效。这一转变顺应了AI市场从“堆算力”向“优效率”转型的趋势。
AI DRAM则细分为三大方向：一是AI-D O（Optimization），聚焦低功耗高性能，包括MRDIMM、SOCAMM及LPDDR5R等产品，旨在降低总体拥有成本；二是AI-D B（Breakthrough），主攻“存储器墙”难题，推出基于CXL接口的CMM模块和存算一体（PIM）技术，通过在存储器内集成计算能力，减少数据搬运开销；三是AI-D E（Expansion），将DRAM应用场景从数据中心拓展至机器人、智能汽车及工业自动化等新兴领域。
在闪存方面，SK海力士同步布局AI NAND三大技术路径：AI-N P（Performance）聚焦超高性能，计划于2026年底前推出新型NAND架构与控制器，专为大规模AI推理优化；AI-N B（Bandwidth）通过垂直堆叠技术提升带宽，结合HBM的高速与NAND的高密度优势，弥补HBM容量扩展的局限；AI-N D（Density）则致力于实现PB级超高密度存储，目标打造兼具SSD速度与硬盘成本效益的中阶存储方案，满足海量AI数据的低成本存储需求。
值得注意的是，SK海力士正与全球顶尖科技企业展开深度协同：与英伟达在HBM领域紧密合作，并利用其Omniverse平台构建“晶圆厂数字孪生”以提升制造效率；与OpenAI建立长期供应关系；与台积电共同开发下一代HBM基座芯片；同时携手西数（SanDisk）制定高频宽闪存（HBF）国际标准，并与NAVER Cloud合作优化产品在真实数据中心环境中的表现。
郭鲁正强调，在AI时代，唯有通过开放协作、技术共创，才能突破性能边界、释放创新潜能。SK海力士将以客户为中心，持续推动存储技术从“支撑角色”向“驱动核心”转变，为全球AI基础设施建设提供坚实底座。