三星重奖1c DRAM研发团队，HBM4量产迈出关键一步

为表彰在先进存储技术研发中的突出贡献，三星电子近日向第六代10纳米级DRAM“1c”开发团队的30名核心成员授予总值约4.81亿韩元（约合240万元人民币）的公司股票奖励。此举不仅体现了公司对技术创新的高度重视，也被业界视为三星在高端存储市场强势回归的重要信号。
“1c” DRAM是在三星电子DS部门负责人全永铉副会长亲自指导下完成设计优化的关键产品，其性能与良率均取得显著突破。目前，该制程DRAM的最高良率已达70%，并已作为核心组件应用于下一代高带宽存储器HBM4。据悉，基于“1c”技术的HBM4样品良率接近50%，三星已向全球主要客户完成送样，并正与英伟达就HBM4性能展开联合评估，初步反馈积极。
在人工智能算力需求激增的背景下，HBM已成为高端AI芯片不可或缺的配套存储方案。三星此次通过内部激励机制加速技术攻坚，旨在抢占HBM4市场先机。随着全球数据中心和AI服务器对高带宽、低延迟存储器的需求持续攀升，HBM4有望成为2026年存储产业的核心增长点。
此次股票奖励不仅是对研发团队成果的认可，更释放出三星全力提升存储器竞争力的战略意图。在全球DRAM价格持续上涨、产能高度紧张的当下，掌握先进制程与高良率量产能力，将成为决定存储厂商未来话语权的关键。三星正以“1c” DRAM为支点，撬动其在AI时代存储生态中的新布局。