华邦电：结构性缺货将延续至2027年，DRAM与闪存市场迎来新机遇

在全球人工智能、边缘计算及物联网应用持续扩张的推动下，存储器市场正经历一场深层次的结构性变革。中国台湾半导体厂华邦电子总经理陈沛铭在近期法说会上明确指出，由于技术标准与先进制程之间的根本性冲突，DDR4及DDR3产品的供应缺口已成定局，这一趋势预计将持续至2027年。
陈沛铭解释，当前全球三大存储器厂商——三星、SK海力士与美光——已将主力产能转向14纳米及更先进节点。然而，在如此精密的制程下，存储单元极易出现缺陷，必须依赖纠错码（ECC）功能来保障稳定性。而JEDEC制定的DDR3/DDR4标准并未包含对ECC的支持，导致这些厂商无法在先进产线上回退生产旧代产品。为满足HBM及AI服务器对高性能内存的需求，大厂纷纷转向支持ECC的DDR5，进一步加剧了DDR4市场的供需失衡。
在此背景下，华邦电凭借在利基型DRAM领域的专注布局，成为少数仍能稳定供应DDR4和DDR3产品的厂商之一。公司第三季DRAM业务营收环比增长18%、同比大增33%，创下近三年新高；整体毛利率达46.7%，其中存储器业务毛利率更超过50%。受益于客户积极签订长达数年甚至六年的长期合约，公司订单能见度清晰，第四季出货量与平均售价均有望显著提升。
在制程方面，20纳米已成为华邦电DRAM业务的核心动能，占总出货比例已达37%。其中，20纳米DDR4产品上季出货量环比翻倍，本季占比将继续提高。同时，公司正加速推进16纳米制程量产准备，首波8Gb DDR4/LPDDR4产品预计于2026年正式投产，主要面向车用、网通设备及边缘AI等高成长性领域。
除DRAM外，华邦电的闪存业务同样表现亮眼。受原材料成本上升及终端需求回暖带动，NOR闪存与SLC NAND价格自2025年第三季度起稳步上涨。目前公司闪存成品及渠道库存已基本清空，后段测试产能正加快扩充以应对持续旺盛的需求。
为支撑长期增长，华邦电已规划2026至2027年资本支出近400亿新台币，主要用于高雄厂16纳米DRAM产能提升（月产能将增加约60%）及台中厂闪存产线优化。公司强调，扩产将以自有资金为主，并根据设备交付节奏灵活调整。
尽管全球经济仍面临不确定性，但AI热潮与供应链重组正为存储器产业注入新动能。华邦电凭借精准的技术路线与产能策略，不仅成功实现第三季度扭亏为盈（单季净利润29.4亿元，每股收益0.65元），更在结构性缺货周期中占据有利位置。随着边缘AI“CUBE”项目稳步推进，公司有望在2027年迎来新一轮业绩贡献。