AI催生新一代存储革命：高性能AI SSD横空出世

随着人工智能技术的迅猛发展，传统存储架构正面临前所未有的挑战。为满足大模型训练与推理对数据吞吐效率的极致要求，一种专为AI场景设计的新型固态硬盘——AI SSD应运而生。它不仅在性能上实现百倍跃升，更在成本与容量之间找到关键平衡点，有望成为继HBM之后AI基础设施的重要一环。

当前AI系统普遍依赖高带宽内存（HBM）来支撑GPU的高速运算，但HBM成本高昂、容量有限，难以满足海量参数和向量数据库的长期存储需求。在此背景下，三星、SK海力士、铠侠、闪迪等全球主要闪存厂商正加速布局“高带宽闪存”（High-Bandwidth Flash, HBF）技术。基于该架构的AI SSD单模组带宽可达64GB/s，容量突破5TB，随机读写性能高达1亿IOPS，双模组组合甚至可达2亿IOPS，相较传统企业级SSD（约100万IOPS）提升超100倍。

更关键的是，AI SSD通过独立主控芯片支持PAM4高速信号传输，并可直连PCIe 7.0接口，实现GPU绕过系统内存直接访问存储数据。这一“近存计算”架构大幅降低延迟，特别适用于生成式AI、检索增强生成（RAG）等需要高频调用外部知识库的应用场景。

尽管AI SSD的带宽仍无法与TB/s级别的HBM相提并论，但其单位成本显著更低，且单盘容量可达HBM的8至16倍以上，在性价比和扩展性方面优势突出。据韩媒报道，三星电子已启动HBF产品的前期开发，聚焦AI数据中心对高速存储介质的迫切需求。目前行业对HBF技术路径存在两种主流方向：一是由闪迪提出、获SK海力士支持的“NAND版HBM”堆叠架构；二是铠侠倡导的超大容量高速PCIe设备方案。三星尚未明确选择哪条路线，但其持有的Z-NAND技术有望在SLC/MLC层级填补DRAM与传统NAND之间的性能鸿沟。

机构分析指出，随着英伟达Blackwell平台规模部署及全球云服务商加速建设AI专用服务器，传统SSD已难以满足推理端对低延迟、高并发数据访问的需求。AI SSD作为新型存储形态，不仅将重塑数据中心存储层级，也为国产存储产业链带来新的技术追赶窗口。未来几年，高性能、大容量、低延迟的AI专属存储设备，或将成为算力基建中不可或缺的关键组件。