HBM4升级带动NOR闪存需求激增 旺宏拟明年首季涨价三成

随着人工智能服务器加速采用更高规格的高带宽存储器（HBM4），全球NOR闪存市场迎来结构性增长机遇。据供应链消息，由于HBM4相较前代HBM3E堆叠层数增加、通道数量翻倍，对用于固件存储与启动管理的NOR闪存用量提升约50%，导致供给趋紧。作为全球主要供应商之一，中国台湾厂商旺宏已规划于2026年第一季度将NOR闪存产品报价上调约30%，以应对持续升温的市场需求。
近期存储器市场全面回暖，不仅DRAM（如DDR4、DDR5）价格大幅上涨，NAND闪存行情也同步走强，而NOR闪存作为AI服务器关键配套元件，正成为新一轮涨价潮的重要一环。旺宏董事长吴敏求近日在“成电论坛”上表示，公司确实感受到来自服务器与数据中心领域的需求回升，尤其512Mb容量产品需求稳定，同时1Gb至2Gb高容量型号也开始放量，未来随着数据传输速率提升，3D NOR技术有望成为发展重点。
值得注意的是，尽管市场普遍以“超级循环周期”形容当前存储器景气，向来持谨慎态度的吴敏求并未完全认同。他坦言，虽然缺货和涨价现象真实存在，但缺口规模及持续时间仍需观察。他指出，当前数据中心架构正从传统CPU主导转向GPU为核心，各大云服务提供商正积极推进基础设施升级，这波AI驱动的投资动能能否长期延续，仍是影响存储器市场走势的关键变量。
机构分析认为，HBM4作为HBM3E的进阶版本，不仅带宽更高、功耗更低，还因物理结构更复杂而显著增加对NOR闪存的依赖。在生成式人工智能、高性能计算（HPC）及高端图形处理器等应用场景中，NOR闪存承担着系统初始化、安全启动和固件存储等不可替代的功能。随着AI服务器出货量持续攀升，NOR闪存已从“配角”转变为不可或缺的配套核心。
作为全球NOR闪存领域的领先厂商，旺宏凭借技术积累与产能布局，正直接受益于这一趋势。若明年首季顺利实施涨价，叠加订单能见度提升，公司业绩有望获得显著提振。不过，业内也提醒，需持续关注AI资本开支节奏及国际供应链变化，以评估本轮需求热潮的可持续性。