SK海力士研发新型HBS高带宽存储技术 助力移动设备突破AI性能瓶颈

随着人工智能加速向终端设备延伸，智能手机等移动装置对本地化AI算力的需求日益迫切。然而，受限于传统存储架构的带宽与延迟瓶颈，端侧AI性能提升面临挑战。据韩国媒体ETNEWS报道，SK海力士正积极开发一种名为HBS（High-Bandwidth Storage）的新型高带宽存储技术，旨在通过创新封装方案，显著提升移动设备的数据处理效率。
该技术的核心在于将多达16层的DRAM与NAND闪存颗粒，利用“垂直扇出”（VFO）先进封装工艺进行三维堆叠整合。与当前主流的HBM（高带宽内存）所采用的硅通孔（TSV）技术不同，VFO无需在芯片上钻孔，不仅降低了制造成本，还提升了良率。同时，相比传统的弧形引线键合方式，VFO大幅缩短了内部布线距离，有效减少信号衰减与传输延迟，并凭借垂直结构显著增加I/O数量，从而实现更高的数据吞吐能力。
据悉，HBS设计可直接与智能手机主芯片协同封装，并集成于手机主板之上，为终端AI应用（如实时图像识别、语音交互、大模型推理等）提供低延迟、高带宽的本地存储支持。这一方案有望解决当前移动AI面临的“存储墙”问题——即处理器算力快速提升，但存储带宽和访问速度难以匹配的矛盾。
SK海力士早在2023年便公开VFO技术路线，此次将其应用于DRAM与NAND的异构集成，标志着其在端侧AI存储领域的战略布局迈出关键一步。业内分析指出，在英伟达、高通、联发科等厂商加速推进终端AI芯片的背景下，高性能、低功耗、小体积的存储解决方案将成为智能手机、折叠屏手机乃至AR/VR设备实现流畅AI体验的重要支撑。
尽管HBS目前仍处于开发阶段，尚未公布具体量产时间表，但其技术路径已显现出对传统eMMC、UFS存储架构的潜在替代可能。未来，随着生成式AI在移动端的普及，融合高速缓存与大容量存储的新型一体化方案，或将成为下一代智能终端的关键竞争力之一。