存储产业资本开支转向高价值赛道，2026年产能扩张依然审慎

随着存储器平均售价稳步回升，全球主要厂商盈利状况明显改善，资本支出虽呈上升趋势，但投资逻辑已发生根本转变——从过去“以量取胜”的扩产模式，全面转向制程微缩、3D堆叠层数提升、混合键合及HBM等高端技术布局。据机构统计，2026年DRAM产业资本支出预计达613亿美元，同比增长14%；NAND闪存则小幅增至222亿美元，增幅约5%。然而，这些投入对实际位元产出的拉动作用有限，难以缓解当前的供应压力。
在DRAM领域，美光最为激进，2026年资本支出预计达135亿美元（年增23%），重点推进1γ制程普及与TSV封装设备建设；SK海力士紧随其后，投入205亿美元（年增17%），主要用于M15x工厂的HBM4产能爬坡；三星则规划200亿美元（年增11%），聚焦HBM 1C制程渗透率提升及P4L晶圆厂小幅扩产。值得注意的是，除三星与SK海力士尚有少量无尘室空间可扩线外，美光需等待美国爱达荷州新厂2027年投产，短期内难有实质产能释放。NAND方面，铠侠/西数与长江存储因无DRAM业务拖累，扩产意愿最强；而美光虽大幅提升NAND资本开支（年增63%），但重心在于G9制程与企业级SSD，非通用产能扩张。整体来看，2026年存储产业仍将处于“高质量、低增速”的投资周期，供不应求态势难以快速逆转。