长江存储发起全球专利战:在欧美起诉美光,指控侵犯3D NAND核心技术
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-11-14
中国存储芯片企业长江存储近期在全球多地发起对美光的专利诉讼,指控其侵犯多项3D NAND闪存核心技术,这场覆盖多国的法律行动被视为中国高科技企业“主动维权”的标志性事件。
据悉,长江存储已在美、英、德、欧盟四大知识产权保护严格地区同步起诉美光及其分销商安富利,指控其侵犯8项美国专利(含US10,707,851等)及3项欧洲3D NAND专利,涉诉产品包括176层至276层NAND闪存及低功耗DDR5 DRAM等关键领域。这是中国企业首次针对美国存储巨头发起如此大规模的主动知识产权维权,此前仅有华为有过类似行动。
长江存储提交的诉讼材料超3000页技术证据,美国德州东区地方法院公开的起诉书显示,涉诉专利直接关联美光最新3D NAND产品的架构设计与制造方法。值得注意的是,双方围绕专利的博弈由来已久——自2023年起,美光与长江存储互相发起20多项美国专利无效挑战;今年11月初,美国专利商标局(USPTO)已对5项相关裁决作出裁定,其中长江存储3项专利维持有效,2项部分权利要求被宣告无效。
机构分析指出,当前全球存储芯片市场仍由三星、SK海力士和美光三大巨头主导,但长江存储近年来快速崛起:2024年底已成为全球第六大内存厂商,母公司长存集团完成股份制改革后估值达1600亿元人民币(入围胡润全球独角兽榜中国第九、全球第二十一位)。随着股改完成,长存集团已具备直接IPO条件,预计2026年二季度前向科创板提交申请,拟募资300-400亿元用于三期项目(月产能15万片)及先进制程研发,进一步提升全球竞争力。
据悉,长江存储已在美、英、德、欧盟四大知识产权保护严格地区同步起诉美光及其分销商安富利,指控其侵犯8项美国专利(含US10,707,851等)及3项欧洲3D NAND专利,涉诉产品包括176层至276层NAND闪存及低功耗DDR5 DRAM等关键领域。这是中国企业首次针对美国存储巨头发起如此大规模的主动知识产权维权,此前仅有华为有过类似行动。
长江存储提交的诉讼材料超3000页技术证据,美国德州东区地方法院公开的起诉书显示,涉诉专利直接关联美光最新3D NAND产品的架构设计与制造方法。值得注意的是,双方围绕专利的博弈由来已久——自2023年起,美光与长江存储互相发起20多项美国专利无效挑战;今年11月初,美国专利商标局(USPTO)已对5项相关裁决作出裁定,其中长江存储3项专利维持有效,2项部分权利要求被宣告无效。
机构分析指出,当前全球存储芯片市场仍由三星、SK海力士和美光三大巨头主导,但长江存储近年来快速崛起:2024年底已成为全球第六大内存厂商,母公司长存集团完成股份制改革后估值达1600亿元人民币(入围胡润全球独角兽榜中国第九、全球第二十一位)。随着股改完成,长存集团已具备直接IPO条件,预计2026年二季度前向科创板提交申请,拟募资300-400亿元用于三期项目(月产能15万片)及先进制程研发,进一步提升全球竞争力。






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