三星存储业务迎“高光时刻”：HBM4需求爆发，2026年营运利润或飙升108%

受益于人工智能（AI）对高性能存储器的强劲需求，三星电子存储芯片业务正迎来新一轮增长周期。机构预测，其2026年营运利润有望同比暴涨108%，达到创纪录的82.2万亿韩元（约合人民币4380亿元）。  
据KB Securities最新报告，三星设备解决方案（DS）部门（涵盖DRAM、NAND等存储芯片及系统半导体）将是主要增长引擎——该部门2026年营运利润预计同比增长三倍至61.8万亿韩元，推动公司整体利润飙升。其中，高带宽内存（HBM）是最大亮点：三星在英伟达HBM供应商中的份额预计翻倍（因竞争对手需重新设计HBM4芯片），总出货量将同比增长2.5倍。短期来看，2025年第四季度业绩也将改善，预计收入88.6万亿韩元（同比增17%），营运利润16万亿韩元（同比增147%），超越2021年季度历史峰值（15.8万亿韩元）。  
具体到产品线，分析师预计DS部门当季运营利润将达12.2万亿韩元，主要得益于“芯片价格上涨”及12-high HBM3E（高容量高性能型号）出货量占比提升（预计占总HBM出货量的97%）。此外，NAND闪存业务也因高容量企业级固态硬盘（eSSD）需求增长，盈利能力显著增强。  
值得注意的是，三星正将战略重心转向高端HBM4芯片——该产品采用1c DRAM制程和4nm逻辑芯片，凭借更快的传输速度与更低的功耗，将成为AI服务器领域的“刚需”。尽管当前三星股价较去年上涨93%，但因在英伟达HBM供应中起步较晚，估值仍被低估。机构预测，随着2026年HBM4供应商份额或达40%（竞争对手重新设计芯片带来机会），三星总HBM出货量将同比增长2.5倍，公允市值有望达到1.02千万亿韩元（约人民币5.4万亿元），成为传统DRAM涨价周期与AI存储需求双轮驱动的核心受益者。