SK海力士深耕HBM先进封装，技术布局直击AI核心痛点

SK海力士近年来围绕高带宽内存（HBM）与DRAM的先进封装技术展开系统性研究，聚焦2.5D/3D SiP集成、热管理、堆叠工艺与可靠性优化，旨在解决AI与高性能计算（HPC）场景下面临的带宽、散热与密度瓶颈。
其技术路线清晰分为两条主线：短期以MR-MUF工艺为主，通过优化树脂材料与贴装顺序，成功实现8Hi HBM堆叠，结温降低14℃，并通过JEDEC全项可靠性测试；长期则押注混合键合技术（C2W/W2W），将凸点间距缩小、堆叠高度降低15%，热阻降至传统工艺的20%以下，并首次验证W2W混合键合在商用DRAM中的可行性。
面向HBM4及未来世代，SK海力士正推进2048位宽接口、近内存计算（Near-Memory Processing）与SERDES IP集成等架构创新。所有研究成果均强调量产兼容性与良率稳定性，体现出极强的工程落地能力。未来，如何应对16Hi以上超高堆叠带来的薄晶圆处理、大尺寸中介层良率及颗粒污染控制，将成为技术攻坚的关键方向。