国产存储器强势突围：长鑫DDR5迈入全球第一梯队

在2025年11月23日举办的第二十二届中国国际半导体博览会（IC China 2025）上，国产存储芯片领军企业长鑫存储正式发布其最新一代DDR5产品系列，最高速率达8000Mbps，单颗颗粒容量最高达24Gb，全面覆盖服务器、工作站及个人电脑三大应用场景，并同步推出七大模组类型，包括UDIMM、SODIMM、RDIMM、MRDIMM等。这一发布不仅标志着中国在高端DRAM领域实现关键技术突破，更意味着国产存储器已具备与国际一线大厂同台竞技的实力。
值得关注的是，长鑫此次推出的8000Mbps DDR5产品，较当前市场主流的6400Mbps规格提升25%，性能直逼甚至部分指标超越三星官网公布的7200Mbps DDR5上限。在容量维度，24Gb大颗粒设计可在不增加物理插槽数量的前提下，显著提升数据中心的模型加载效率与多任务并发能力，契合AI训练与推理对高密度内存的刚性需求。与此同时，长鑫还展出了10月量产的LPDDR5X移动端产品，最高速率达10667Mbps，提供12GB至32GB多种封装方案，覆盖旗舰智能手机、折叠屏手机及边缘AI设备。据行业媒体“芯极速”报道，长鑫DDR5良率已于2025年下半年突破80%，采用16纳米（D1z）工艺节点，跳过17纳米阶段，技术路径更为激进，性能对标三星K4X8G325EB等国际主流型号。
长鑫存储的快速崛起，背后是中国对存储器产业链自主可控战略的深度推进。市场中心负责人骆晓东在发布会上明确指出：“当前DRAM需求呈爆发式增长，中国亟需建立稳定、可靠的国产产能供应体系。”数据显示，长鑫合肥与北京工厂总产能预计2025年底将达每月28万片，2026年进一步提升至30万片，全球DRAM市占率有望从2024年的约6%提升至15%。Counterpoint预测，其2025年DRAM出货量同比增长50%，LPDDR5市占率将从年初的0.5%跃升至9%，DDR5份额亦将从不足1%飙升至7%。
更值得重视的是，长鑫母公司——长鑫科技集团股份有限公司的上市进程已取得关键进展。中国证监会官网显示，其辅导状态已于2025年10月变更为“辅导工作完成”，由中金公司与中信建投联合保荐。公司估值约1400亿元人民币，股东包括国家集成电路产业投资基金二期、合肥地方政府平台及清辉集电等战略投资者。兆易创新董事长朱一明亦通过关联方深度参与长鑫融资，去年牵头财团投入15亿元，强化其在DRAM领域的研发与扩产能力。在全球DRAM市场仍由三星、SK海力士、美光三大巨头垄断（合计市占超90%）的格局下，长鑫凭借本土市场优势、持续技术迭代与设备国产化率提升，正逐步打破海外厂商的技术与产能壁垒，为中国构建安全、韧性的半导体供应链注入核心动能。