三星HBM4技术领先确立，存储巨头重掌市场主导权

在全球存储器市场供需极度紧张的背景下，三星电子凭借在高带宽存储器（HBM）领域的技术突破，正强势夺回行业主导地位。摩根士丹利最新研报指出，三星不仅已实现HBM3e向所有AI计算客户批量出货，其下一代HBM4产品更已进入多重客户认证流程，首批结果预计将于2025年12月初公布，有望成为股价重要催化剂。得益于1c纳米DDR5前端工艺、4纳米逻辑基础芯片及低功耗设计优势，三星HBM4在传输速率（>11Gbps）与能效表现上已处于行业领先地位。更重要的是，三星拥有涵盖DRAM制造、晶圆代工到先进封装的端到端能力，使其在产能调配与交付效率上远超竞争对手。
目前，三星DRAM月有效产能达50万片，总产能约65万片，显著高于同业水平，订单履约率却仅为70%，显示出强劲的议价能力与供不应求的市场现实。公司管理层采取“理性扩产”策略，不盲目追逐短期热潮，而是与核心客户基于真实需求协同规划供给节奏。其新建的P4工厂设计产能超10万片/月，为DRAM与代工业务预留充足扩张空间。与此同时，三星代工部门亦迎来回暖，2纳米制程已获得多笔订单，尽管仍需拓展特斯拉以外的大客户，但整体利用率与盈利能力正稳步回升。摩根士丹利据此大幅上调三星2026年盈利预期，预计每股盈余（EPS）将达14,464韩元，较当前市场共识高出近50%，若以2025年为基准，全年获利增幅有望突破150%，彰显其在AI存储浪潮中的核心受益地位。