存储器价格飙升引爆全产业链成本压力
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-11-24
随着人工智能技术在全球范围内的快速落地,电子产业链正经历一场由存储器价格暴涨引发的系统性成本冲击。自2025年下半年以来,DRAM与NAND闪存价格持续走高,涨幅远超历史周期水平。据机构数据显示,主流DDR5 16Gb颗粒在短短一个月内从7.68美元飙升至15.5美元,单月涨幅高达102%;三星的DDR5-5600(16GB)DRAM价格在两个月内从6.9万韩元涨至20.8万韩元,接近三倍。更令人震惊的是,服务器用32GB DDR5组件价格从9月的149美元暴涨至239美元,创下历史最大单次涨幅纪录。摩根士丹利指出,过去半年DRAM现货价格已上涨约300%,远超2016–2018年上一轮“超级周期”的涨幅。
这一轮涨价并非短期供需错配,而是由AI基础设施建设驱动的结构性变革。全球大型云计算服务商和AI企业为训练千亿级参数大模型,对高性能内存的需求呈指数级增长。一台AI服务器所需DRAM容量约为传统服务器的8倍,NAND闪存需求也达3倍之多。在此背景下,三星、SK海力士、美光等头部厂商纷纷将产能向HBM(高带宽存储器)和高端DDR5倾斜,导致传统存储产品供应缩减约25%。与此同时,2023–2024年行业资本支出下降30%,而新建产线需18–24个月才能释放产能,供需缺口短期内难以弥合。机构预测,2025年第四季度DRAM合约价同比涨幅将超75%,整机制造成本因此上升8%–10%,对智能手机、笔记本电脑、游戏主机等终端产品形成直接压力。
这一轮涨价并非短期供需错配,而是由AI基础设施建设驱动的结构性变革。全球大型云计算服务商和AI企业为训练千亿级参数大模型,对高性能内存的需求呈指数级增长。一台AI服务器所需DRAM容量约为传统服务器的8倍,NAND闪存需求也达3倍之多。在此背景下,三星、SK海力士、美光等头部厂商纷纷将产能向HBM(高带宽存储器)和高端DDR5倾斜,导致传统存储产品供应缩减约25%。与此同时,2023–2024年行业资本支出下降30%,而新建产线需18–24个月才能释放产能,供需缺口短期内难以弥合。机构预测,2025年第四季度DRAM合约价同比涨幅将超75%,整机制造成本因此上升8%–10%,对智能手机、笔记本电脑、游戏主机等终端产品形成直接压力。






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