兆易创新加速自研进程：LPDDR4X明年量产，深耕利基存储市场

作为中国大陆存储产业链的关键一环，兆易创新在2025年第三季度业绩说明会上披露了其在DRAM与NAND领域的最新战略进展。公司确认，多年来已累计向长鑫科技投资23亿元人民币，双方深度协同为兆易创新的利基型DRAM产品提供了稳定产能保障。得益于此，其今年新量产的DDR4 8Gb芯片销量迅速攀升，第三季度出货量已与成熟的DDR4 4Gb产品持平，显示出强劲的市场接受度。展望2026年，公司计划实现完全自研的LPDDR4X系列产品量产，并启动LPDDR5X小容量产品的研发规划，持续向高端移动存储领域迈进。
在NAND闪存方面，兆易创新采取差异化竞争策略，专注于SLC NAND技术路线，产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及网络通信等领域。这一选择具有现实考量：随着三星、美光等国际大厂将重心转向3D NAND并逐步退出2D NAND市场，后者出现明显供给缺口，为专注细分领域的本土企业创造了机遇。兆易创新明确表示，短期内并无进军3D NAND的计划，而是将持续优化2D NAND产品性能与可靠性，巩固在工业及车规级市场的优势地位。通过与优质客户建立长期战略合作关系，公司正构建起“设计-制造-应用”闭环生态，在全球存储器结构性短缺的大背景下，走出一条符合中国市场需求的特色发展路径。