为何EUV仍需DUV配合？解析半导体制造的“双轨并行”逻辑

全球半导体设备龙头阿斯麦近期披露高数值孔径极紫外光（High-NA EUV，HNA）技术进展，通过量产型5200机台交付、超35万片晶圆曝光量等数据，证明其已从研发走向商业化。但阿斯麦同时强调：尽管HNA在极致微缩中扮演关键角色，深紫外光（DUV）技术因产能占比与成本效益，仍是芯片制造的“主力军”。二者的“双轨并行”，揭示了半导体制造的核心逻辑——极致技术与规模生产的平衡。  
HNA的核心优势在于效率与图案化能力：传统Low-NA EUV需三次曝光完成的图案，HNA可一次实现，省时降本；其还能突破1D图案限制，实现2D大图案曝光，为芯片结构创新提供可能。目前，英特尔、IBM、三星等企业已采用HNA，英特尔更证实其瑕疵率与良率已达LNA（低数值孔径EUV）水平，显示HNA的成熟潜力。但HNA的普及仍面临挑战：EUV光线无法在空气中传播，需真空环境与80层镀膜反射镜，镜面精度需控制在20皮米（千分之一纳米）——若将镜子放大至德国国土大小，高低差不足0.1毫米，制造难度堪称“微观世界的珠穆朗玛峰”。  
与HNA的“极致精密”不同，DUV凭借透射式设计与成熟工艺，承担了全球大部分晶圆的曝光任务。2024年数据显示，EUV仅占晶圆曝光量的小部分，DUV仍是大头。阿斯麦为此持续升级DUV产品线：浸润式微影机台2150每小时可处理310片晶圆，KRF DUV机台2024年底出货，效率超400片/小时。二者在生产中需紧密配合：一片逻辑芯片约70次曝光，仅十余次用EUV，其余依赖DUV，且需通过纳米级套准精度确保各层结构精准叠加。  
半导体制造业的特殊性在于：既要追求“更小、更快、更强”的极致性能（依赖EUV），又要满足“大规模、低成本、稳供给”的商业需求（依赖DUV）。阿斯麦的“双轨战略”，本质是对产业规律的尊重——在EUV引领微缩革命的同时，DUV仍是支撑全球芯片供应的“基石”，二者的协同进化，将持续推动半导体技术向前。