长鑫储存DDR5量产在即：中韩存储技术差距加速缩小引关注

中国存储器芯片企业长鑫储存近日正式发布最新DDR5与LPDDR5X产品，宣布2026年起全面量产。这一动作不仅有望降低国内对海外存储器的依赖，更可能削弱全球“存储超级循环周期”的力度，对三星、SK海力士在华营收构成直接冲击，引发业界对中韩存储技术竞争格局的重新审视。  
韩媒《Business Korea》指出，中韩在通用DRAM领域的技术差距已急速缩小至“不到一年”。这一变化背后，美国限制荷兰阿斯麦对华出口EUV极紫外光设备虽延缓了大陆先进制程追赶，却意外推动双方在成熟制程与通用存储领域的差距加速弥合。韩国半导体业内人士透露，长鑫储存最新DDR5最高速率达8000Mbps，单颗容量24Gb，较上一代6400Mbps产品提速25%，性能已媲美韩国DRAM企业同级产品，可适配最先进CPU服务器平台。  
尽管长鑫储存当前月产能约27万片（三星64万片、SK海力士51万片），但2026年DDR5与LPDDR5X量产后，其作为国内市场“有效替代方案”的地位将显著强化。数据显示，三星与SK海力士去年在华总销售额达87.3万亿韩元（约合人民币1.87万亿元），占两家企业总营收的23.7%，长鑫的量产无疑将动摇其市场根基。  
长鑫的快速突破，离不开国内政策扶持与本土需求的双重驱动。一方面，国家集成电路产业基金持续加码存储领域，推动技术研发与产能建设；另一方面，国内数据中心、AI企业的海量需求，为长鑫提供了“练兵场”。此外，美国对华半导体限制反而促使国内企业加速吸纳韩国、日本存储人才，技术团队的国际化融合进一步缩短了研发周期。  
若长鑫储存如期实现量产并突破良率瓶颈，不仅将重塑国内存储市场版图，更可能在全球存储超级循环中注入“中国变量”——当供给端从“韩美主导”转向“多元竞争”，存储器价格的周期性波动或趋于平缓，而技术迭代的速度与方向，也将更多由市场需求而非单一区域产能决定。