全球存储格局生变：SK海力士连三季领跑DRAM，HBM成决胜关键

当前全球存储市场正经历由AI算力爆发引发的深度重构，SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，已连续三季超越三星登顶全球DRAM市占榜首，标志着存储产业30年“三星主导”格局被打破。这场变革的核心，是AI服务器对HBM的爆发性需求与传统DRAM供给的结构性错配，推动存储产业从“周期博弈”转向“技术壁垒竞争”。  
据市调机构Omdia数据，2025年第三季全球DRAM营收季增30%至403亿美元，SK海力士以34.1%的市占率稳居第一，三星以33.7%紧随其后，两者差距持续收窄。尽管传统DRAM仍是市场主力，但胜负关键已转向HBM——SK海力士第三季HBM销售额同比暴涨330%，占DRAM总营收的30%，第四季预计升至40%。作为英伟达等AI芯片的核心配套，HBM3E及后续产品的供应能力，直接决定了厂商在AI时代的竞争力。  
SK海力士的崛起并非偶然。其会长崔泰源透露，2022至2027年公司已投入超106万亿韩元扩产，利川M15、M16晶圆厂通过调整产线配置，2026年标准型DRAM产能将较今年增逾10%，兼顾HBM与通用DRAM需求。但市场担忧，HBM资源高度集中可能延后HBM4量产时程，2026年产品落地面临变数。  
反观三星，虽在第三季存储器业务营收创26.7万亿韩元新高，HBM3E已供应“所有主要客户”（推测含英伟达），并通过转用三成DRAM产能生产HBM3E加剧供给紧张，但市占率仍落后SK海力士。美光则以25.8%的市占位居第三，在AI内存需求浪潮中稳步扩张。这场“HBM之战”的本质，是存储厂商从“规模竞争”转向“技术+客户绑定”的竞争——谁能率先满足AI芯片对高带宽、低延迟存储的需求，谁就能主导下一轮产业周期。