三星重整存储战线：HBM团队并入开发部门，1c DRAM良率冲刺80%

为扭转在HBM领域的被动局面，三星近期对存储器业务发起大规模组织改革，成立全新的存储器开发部门，核心目标是整合HBM研发资源、加速次世代HBM技术落地，同时通过1c DRAM技术巩固AI与高性能运算（HPC）市场优势。这场调整，折射出三星在存储超级循环中“背水一战”的决心。  
新成立的存储器开发部门由DRAM产品与技术团队负责人Hwang Sang-joon领导，其核心职能是整合三星关键研发功能，尤其将独立近一年的HBM团队纳入设计部门之下。2025年7月，因HBM市占率落后SK海力士、良率与稳定性受质疑，三星曾拆分HBM团队以集中资源，如今重新整合，标志着其对HBM开发与制造流程“正常化”的信心增强。此次调整直接服务于第六代HBM4与第七代HBM4E的研发，目标在2026年前缩小与SK海力士的技术差距。  

在技术层面，三星采取“超前部署”策略：当多数竞争者仍使用第五代1b DRAM制程时，三星已量产第六代1c DRAM，该技术为AI与HPC场景提供更大带宽与更低功耗。目前1c DRAM良率已攀升至70%，目标进一步改善至80%-90%，以巩固其在快速扩张的AI与数据中心市场的领导地位。 

三星的紧迫感源于现实压力：SK海力士凭借HBM3E的先发优势，已包揽英伟达等AI芯片厂未来三年产能，而三星HBM3E虽通过英伟达认证，但量产规模仍处追赶阶段。通过组织重构与技术升级，三星试图在HBM4时代实现“弯道超车”，但能否在2026年前突破良率瓶颈，将决定其能否重夺存储霸主地位。