存储超级循环新逻辑：AI需求质变，从“周期波动”到“结构性繁荣”

过去，存储产业常被贴上“大宗商品”标签，经历“需求爆发—扩产—过剩—崩盘”的经典循环：2017-2019年，比特币挖矿与智能手机换机潮推高存储价格，厂商大举扩产300亿美元（三星）、150亿美元（SK海力士），但2019年需求崩溃后，DRAM价格暴跌50%-60%，NAND Flash跌60%-75%，SK海力士利润衰退87%，美光衰退53%。但2025年开启的“超级循环”，因AI需求的质变，呈现出完全不同的底层逻辑。  
需求端：从“消费驱动”到“AI基建驱动”。2025年的AI需求是“结构性、多年期”的——云端巨头为抢占AI版图，持续投入基础设施建设，需采购HBM、DDR5等高阶存储；而2017年的加密货币与手机需求是“短线投机、周期性”的。机构数据显示，AI服务器对HBM的位元消耗是传统服务器的5-7倍，且云端巨头的采购承诺长达3-5年，需求确定性远高于消费电子。  
供给端：从“先扩产再接单”到“需求绑定设计”。HBM时代，存储厂商需与英伟达、云端巨头共同设计、开发、验证产品，需求不确定性大幅降低，现金流更稳定。且HBM利润率远超传统DRAM（同容量HBM价格是DDR5的5-7倍），厂商扩产意愿与能力更强。  
技术端：HBM开启“高壁垒竞争”。HBM生产需堆叠多层芯片并解决散热、信号干扰等问题，技术门槛远高于传统DRAM，仅SK海力士、三星、美光具备量产能力。这种“少数玩家主导”的格局，避免了过去“一哄而上扩产”的乱象，支撑价格长期高位。  
机构普遍认为，此次超级循环不会重演2019年崩盘：AI基建需求至少持续至2030年，HBM产能扩张需2-3年（阿斯麦EUV光刻机交付周期长），且厂商扩产以制程升级为主（如三星1c DRAM、SK海力士HBM4），而非单纯增加产能。对产业而言，这轮繁荣将更持久、更稳健，推动存储从“周期股”向“成长股”蜕变。