内存缺货虚实辨：AI转产效应下的产业结构断层

AI应用引爆的内存缺货，究竟是“短期炒作”还是“长期趋势”？机构与产业界指出，当前DRAM、NAND缺货是“结构性断层”的体现——AI需求质变叠加厂商产能转向，导致传统存储供给永久性收缩，缺货深度与时间创20年之最。  
缺货本质：AI转产挤压通用存储产能。AI芯片需搭配HBM，而HBM生产需占用大量DRAM产能（单颗HBM需堆叠8-12层DRAM芯片），厂商纷纷将DDR3/DDR4产线转为HBM，导致通用DRAM供给骤降。群联执行长潘健成直言“内存一缺10年”，威刚董事长陈立白称“DRAM、NAND双缺持续升温，缺货深度与时间皆创20年最严重”。  
NAND Flash：AI储存需求催生结构性短缺。机构分析，AI模型指数级成长，内存储存量成瓶颈，云端服务供应商（CSP）因HDD供应不足转单NAND，推动企业级SSD需求年增30%。机构预估，2029年AI NAND市场规模将达280亿美元，占整体NAND的20%。而原厂扩产保守（2026年资本支出聚焦制程升级而非扩产），导致NAND供不应求或延续至2026年全年。  
二手市场火热，凸显供给刚性。因原厂“出再多钱也没货”，回收旧笔记本电脑内存的二手市场升温，DIY市场中“少装一条内存店家退钱”成常态。这种“有钱难买”的刚性供给，印证了缺货并非短期波动，而是AI重构存储产业链的必然结果。